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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请提供一种基于SOI衬底的LDMOS器件及其制备方法，其中制备方法包括：提供依次堆叠的底层硅、中间隔离层和初始顶层硅；在初始顶层硅中形成局部埋型离子注入区；形成外延层，分别形成保持一定间隔的体区、漂移区，分别形成基极引出区、源区和漏区；形成阶梯型氧化层；以及形成阶梯型多晶硅层。本申请通过在漂移区的左侧底部左下角增加一相对高掺杂浓度的局部埋型离子注入区，可以增加初始顶层硅与中间隔离层交界位置的电场强度，进而可以提高中间隔离层内的电场强度，从而实现器件整体的纵向耐压的提高的效果。
主权项：1.一种基于SOI衬底的LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：提供依次堆叠的底层硅、中间隔离层和初始顶层硅；通过离子注入工艺，在所述初始顶层硅中形成局部埋型离子注入区；形成外延层，所述外延层覆盖所述初始顶层硅和所述局部埋型离子注入区；通过多次离子注入，分别形成保持一定间隔的体区、漂移区，所述体区位于所述外延层中，所述漂移区位于所述外延层和所述初始顶层硅中，其中，所述局部埋型离子注入区位于靠近所述体区侧的所述漂移区的底部；通过多次离子注入，分别在所述体区中形成保持一定间隔的基极引出区和源区，以及在所述漂移区中形成漏区；形成阶梯型氧化层，所述阶梯型氧化层覆盖所述漂移区的部分表面；以及形成阶梯型多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述体区的部分表面、所述漂移区的部分表面和所述阶梯型氧化层的部分表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 基于SOI衬底的LDMOS器件及其制备方法
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