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申请/专利权人：重庆奕能科技有限公司
摘要：本公开提供了一种半导体器件，包括半导体层、沟槽栅极结构和导电层，半导体层具有相对的第一表面和第二表面，沟槽栅极结构的至少部分位于半导体层的第一表面的沟槽中，半导体层包括：源区、体区和漂移区，源区自所述第一表面朝所述第二表面的方向延伸，其中，第一表面具有多个凹陷，导电层与第一表面邻接，并延伸至多个凹陷中。通过在半导体层的第一表面设置多个凹陷，在导电层与第一表面邻接时，导电层会延伸到凹陷中，从而增大了单位面积内，导电层与源区的接触面积，减小了源极接触电阻。
主权项：1.一种半导体器件，包括半导体层、沟槽栅极结构和导电层，所述半导体层具有相对的第一表面和第二表面，所述沟槽栅极结构的至少部分位于所述半导体层的所述第一表面的沟槽中，所述半导体层包括：源区，自所述第一表面朝所述第二表面的方向延伸；以及漂移区和体区，至少部分所述漂移区位于所述体区和所述半导体层的第二表面之间，所述体区的第一部分沿所述第一表面朝所述第二表面的方向位于所述源区和所述漂移区之间，所述体区的第一部分、所述源区均与所述沟槽栅极结构的第一侧壁邻接，其中，所述第一表面具有多个凹陷，所述导电层与所述第一表面邻接，并延伸至所述多个凹陷中，所述源区和所述漂移区为第一导电类型，所述体区为第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆奕能科技有限公司 半导体器件
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