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申请/专利权人：芯恩(青岛)集成电路有限公司
摘要：本实用新型提供了一种LDMOS器件。该LDMOS器件中，将场板结构设置为圆环形结构或者椭圆环形结构，避免场板结构中出现有尖端部分而产生尖端效应，提高电场的分布均匀性；同时，将最外围的漏区的外边界以矩形或者多边形设置，使得LDMOS器件的整体结构呈现为矩形或者多边形，实现对基片面积的有效利用，最大化节省了器件布局设计的面积，使得在相同的单元面积下可以更大程度的增加LDMOS器件的尺寸，进一步提高器件的耐压性能。
主权项：1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：以源区为中心，依次环绕在所述源区外周的栅极结构、场板结构和漏区；其中，所述场板结构为圆形环状结构或者椭圆形环状结构，所述漏区的外边界形状为多边形，所述漏区的内边界将所述场板结构、所述栅极结构和所述源区环绕在内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯恩(青岛)集成电路有限公司 一种LDMOS器件
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