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申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
摘要：本申请属于半导体技术领域，尤其涉及SOI‑LDMOS结构及其制备方法。本申请公开SOI‑LDMOS结构，包括沿厚度方向依次排列的衬底、埋氧层和顶硅层，顶硅层中具有间隔设置的源区以及漏区，漏区上设有沿厚度方向贯穿顶硅层的漏极栓塞，漏极栓塞的材质为金属或N型掺杂的多晶硅中的至少一种。本申请实施例还提供一种SOI‑LDMOS结构的制备方法，包括：提供初始SOI‑LDMOS结构，初始SOI‑LDMOS结构包括沿厚度方向依次排列的衬底、埋氧层和顶硅层；在初始SOI‑LDMOS结构上形成沿厚度方向贯穿顶硅层的第五通孔；在第五通孔内沉积金属或N型掺杂的多晶硅中的至少一种材质形成漏极栓塞。
主权项：1.一种SOI-LDMOS结构，其特征在于，包括沿厚度方向依次排列的衬底、埋氧层和顶硅层，顶硅层中具有间隔设置的源区以及漏区，所述漏区上设有沿所述厚度方向贯穿所述顶硅层的漏极栓塞，所述漏极栓塞的材质为金属或N型掺杂的多晶硅中的至少一种。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 SOI-LDMOS结构及其制备方法
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