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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种LDMOS器件及其制造方法，包括提供衬底；对衬底进行光刻和离子注入形成N型漂移区和P型体区；在N型漂移区形成STI区域；在衬底表面形成跨越N型漂移区和P型体区的多晶硅栅，多晶硅栅包括栅氧化层和位于栅氧化层上方的多晶硅栅极；利用侧墙工艺形成隔离侧墙和与隔离侧墙底部相连位于N型漂移区上方的氧化层；在氧化层上方沉积多晶硅形成多晶硅场板；进行源漏离子注入工艺形成源漏区；采用光刻和刻蚀工艺形成源区接触孔、漏区接触孔、栅极接触孔和场板接触孔；形成金属层并刻蚀，与各接触孔连接。本发明将多晶硅场板的端口与多晶硅栅极单独分开，实现了多晶硅场板端电压和氧化层厚度单独可调以提高击穿电压，进而提升器件性能。
主权项：1.一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供衬底；步骤二、对所述衬底进行光刻和离子注入形成N型漂移区和P型体区；步骤三、在所述N型漂移区形成STI区域；步骤四、在所述衬底表面形成跨越所述N型漂移区和所述P型体区的多晶硅栅，所述多晶硅栅包括栅氧化层和位于所述栅氧化层上方的多晶硅栅极；步骤五、利用侧墙工艺形成隔离侧墙和与所述隔离侧墙底部相连位于所述N型漂移区上方的氧化层；步骤六、在所述氧化层上方沉积多晶硅形成多晶硅场板，所述多晶硅场板与所述多晶硅栅极通过所述隔离侧墙隔离开来；步骤七、进行源漏离子注入工艺形成源漏区；步骤八、采用光刻和刻蚀工艺形成源区接触孔、漏区接触孔、栅极接触孔和场板接触孔；步骤九、形成金属层并刻蚀，与各所述接触孔连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种LDMOS器件及其制造方法
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