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申请/专利权人：兰州城市学院
摘要：本发明涉及一种基于PECVD法二维TMDCs材料制备方法，包含以下步骤：M金属源无机盐质量分数为1‑10mgml，直接加入到去离子水中，通过磁力搅拌仪搅拌均匀，得到M金属源溶液；将所述M金属源溶液，旋涂润湿性处理后的生长衬底表面；将所述旋涂M金属源的生长衬底放置在等离子体增强化学气相沉积管式炉中，采用限域或非限域放置；将所述高纯度固态的过渡族金属粉末1‑3克均匀平铺放置于射频线圈中央，提供二维过渡族金属硫属化合物MX2中的硫属X源。本发明极大降低对硫族金属用量的消耗，极大提高硫族金属源的活性、降低TMDCs二维材料空位缺陷，实现高质量制备。利用的等离子体轰击作用，可降低TMDCs二次形核，实现大面积、低污染、规模化纳米片或单层薄膜生长。
主权项：1.一种基于PECVD法二维TMDCs材料制备方法，其特征在于，包含以下步骤：将二维过渡族金属硫属化合物MX2所需的M金属源按照质量分数进行金属源溶液配制，M金属源质量分数为1-10mgml，直接加入到去离子水中，通过磁力搅拌仪搅拌均匀，得到二维TMDCs材料生长所需要的M金属源溶液；将所述M金属源溶液旋涂润湿性处理后的生长衬底上，旋涂时转速选择1000-15000转，旋涂时间选择10-30秒，将移液枪吸取少量溶液旋涂2-3次；将所述旋涂M金属源的生长衬底放置在等离子体增强化学气相沉积管式炉中，采用限域或非限域放置；将过渡族金属粉末1-3克均匀平铺放置于射频线圈中央，提供二维过渡族金属硫属化合物MX2中的硫属X源。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 兰州城市学院 一种基于PECVD法二维TMDCs材料制备方法
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