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申请/专利权人：华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
摘要：本发明提供一种基于二维过渡金属硫族化合物TMDCs的电场诱导肖特基光电二极管及其制备方法，该肖特基光电二极管自下而上依次包括导电基底101‑1、绝缘介质层101‑2和二维过渡金属硫族化合物TMDCs层201，在所述二维过渡金属硫族化合物TMDCs层201上还分别设置有均由金属材料构成的源极301‑1和漏极301‑2。在漏极施加电压时，漏极与导电基底之间的纵向电场将调控金属接触下面TMDCs的载流子浓度，改变漏极处肖特基势垒高度，从而实现肖特基二极管开关特性。光照下，光生载流子在源极与漏极之间横向电场作用下分离，形成光电信号。
主权项：1.一种基于二维过渡金属硫族化合物TMDCs的电场诱导肖特基光电二极管，其特征在于，该肖特基光电二极管自下而上依次包括导电基底101-1、绝缘介质层101-2和二维过渡金属硫族化合物TMDCs层201，在所述二维过渡金属硫族化合物TMDCs层201上还分别设置有均由金属材料构成的源极301-1和漏极301-2；其中，所述二维过渡金属硫族化合物TMDCs层201为本征未掺杂或者掺杂浓度不高于1018cm-3的掺杂状态；所述源极301-1与所述导电基底101-1电位相等，所述绝缘介质层101-2是作为栅介质，所述漏极301-2和所述源极301-1分别与所述二维过渡金属硫族化合物TMDCs层201接触形成肖特基势垒；所述绝缘介质层101-2的栅电容不小于1.4×10-7Fcm2，通过在所述漏极301-2上施加不同极性的电压，所述漏极301-2与所述导电基底101-1之间的纵向电场将能够调控与所述漏极301-2相接触的TMDCs的载流子浓度和极性，使得接触处TMDCs的费米能级发生改变，最终改变漏端肖特基势垒大小，实现二极管的整流与开关作用；并且，光生载流子也能够在源漏间横向电场作用下分离，输出光电信号，实现光电探测。
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