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申请/专利权人：复旦大学
摘要：本发明公开了一种基于PTFE对TMDCs进行p型掺杂的方法及半导体，属于先进半导体器件技术领域，方法为：将TMDCs材料转移到含氟的超平PTFE基底上，从而构建了一种TMDs和PTFE的垂直异质界面，该界面对TMDCs具有高效的空穴掺杂调控，通过测定转移后的TMDCs的光谱结构和荧光寿命，表征其能带结构的变化，可确定实现对TMDCs的p型掺杂，获得p型掺杂的TMDCs半导体，从而扩展了在光电或电子器件上的应用。本发明实现了在室温下对二维TMDCs从n型到p型掺杂的转换，调节效果长期、稳定且适合大规模生产要求，方法操作简便，具有单原子层可控掺杂精度，通过含氟化合物的强电负性效应实现对二维TMDCs的空穴掺杂型。
主权项：1.一种基于PTFE对TMDCs进行p型掺杂的方法，其特征在于：包括以下步骤，S1、获取TMDCs材料；S2、将TMDCs材料转移至超平PTFE基底表面，或者通过热蒸镀法在TMDCs材料上沉积出超平PTFE薄膜，从而构建出PTFE与TMDCs的垂直异质界面，实现对TMDCs的p型掺杂。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 复旦大学 一种基于PTFE对TMDCs进行p型掺杂的方法及半导体
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