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申请/专利权人：中南大学
摘要：本发明提供了PVK‑TMDCs范德华异质结及其制备方法，属于光电材料技术领域。本发明采用化学气相沉积法在基底上制备过渡金属硫族化合物薄膜；采用物理气相沉积法在所述过渡金属硫族化合物薄膜表面制备钙钛矿薄膜，得到PVK‑TMDCs范德华异质结。本发明采用化学气相沉积法在基底上制备过渡金属硫族化合物薄膜，得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜，然后采用物理气相沉积法在过渡金属硫族化合物薄膜表面制备钙钛矿薄膜，过渡金属硫族化合物薄膜可以对钙钛矿薄膜生长的结构和能级起到调控作用，防止异质结界面中出现杂质，提高光电材料的光电探测性能。
主权项：1.一种PVK-TMDCs范德华异质结的制备方法，包括以下步骤：1采用化学气相沉积法在基底上制备过渡金属硫族化合物薄膜；2采用物理气相沉积法在所述步骤1得到的过渡金属硫族化合物薄膜表面制备钙钛矿薄膜，得到PVK-TMDCs范德华异质结；所述步骤1中基底包括Si层和SiO2层，所述Si层为P型重掺杂的Si层，所述SiO2层的厚度为100～500nm；所述步骤1中过渡金属硫族化合物薄膜的材质为WS2；所述过渡金属硫族化合物薄膜的制备方法包括以下步骤：在惰性气体氛围中，将过渡金属氧化物加热至700～800℃，将硫族元素单质加热至200～300℃，进行沉积，得到过渡金属硫族化合物薄膜；所述过渡金属氧化物和硫族元素单质的质量比为1：25～30；所述过渡金属氧化物的加热方式为先升温至300℃，保温10～20min，然后升温至700～800℃，保温10～20min，所述升温的速率为10～20℃min；所述硫族元素单质的加热方式为：当过渡金属氧化物的温度达到600～650℃时，以20～30℃min的速率升温至200～300℃，所述过渡金属氧化物和硫族元素单质同时达到各自的目标温度；所述过渡金属氧化物为WO3；所述惰性气体氛围为氮气、氩气或氦气，所述惰性气体的流速为20～50cm3min；所述步骤2中钙钛矿薄膜的材质为MAPbX3或CsPbX3，所述MAPbX3和CsPbX3中的X独立地为I、Br或Cl。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中南大学 一种PVK-TMDCs范德华异质结及其制备方法
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