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申请/专利权人：中南大学
摘要：本发明提供了PVK‑TMDCs范德华异质结及其制备方法，属于光电材料技术领域。本发明采用化学气相沉积法在基底上制备过渡金属硫族化合物薄膜；采用物理气相沉积法在所述过渡金属硫族化合物薄膜表面制备钙钛矿薄膜，得到PVK‑TMDCs范德华异质结。本发明采用化学气相沉积法在基底上制备过渡金属硫族化合物薄膜，得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜，然后采用物理气相沉积法在过渡金属硫族化合物薄膜表面制备钙钛矿薄膜，过渡金属硫族化合物薄膜可以对钙钛矿薄膜生长的结构和能级起到调控作用，防止异质结界面中出现杂质，提高光电材料的光电探测性能。
主权项：1.一种PVK-TMDCs范德华异质结的制备方法，包括以下步骤：1采用化学气相沉积法在基底上制备过渡金属硫族化合物薄膜；2采用物理气相沉积法在所述步骤1得到的过渡金属硫族化合物薄膜表面制备钙钛矿薄膜，得到PVK-TMDCs范德华异质结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中南大学 一种PVK-TMDCs范德华异质结及其制备方法
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