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具有可靠性和稳定性的SRAM结构及其自定时控制方法 

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申请/专利权人:上海海栎创科技股份有限公司

摘要:本发明揭示了一种具有可靠性和稳定性的SRAM结构及其自定时控制方法,所述具有可靠性和稳定性的SRAM结构包括多个并联的虚拟存储体;虚拟存储体设置在真实存储体长度方向的一侧。进一步的,虚拟存储体包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管;第三NMOS管和第四NMOS管的栅极均接入字线,第三NMOS管和第四NMOS管的漏极分别接入位线和互补位线;位线和互补位线均接入时序控制电路。本发明能够控制真实存储体的字线开启时间,从而能够精准地控制灵敏放大器的开启时间,并缩短灵敏放大器的开启时间,还能够提高控制的灵活性,有效节省功耗。

主权项:1.一种具有可靠性和稳定性的SRAM结构,其特征在于,包括多个并联的虚拟存储体;所述虚拟存储体设置在真实存储体长度方向的一侧。

全文数据:

权利要求:

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