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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构、掩膜结构，涉及半导体技术领域，半导体结构的制作方法包括：在待刻蚀层上形成第一掩膜层，第一掩膜层的材料包括锆的氧化物和或锆的氮氧化物，图形化第一掩膜层，形成第一掩膜图形。在本公开中，采用锆的氧化物和或锆的氮氧化物形成第一掩膜层，第一掩膜层的厚度更薄，能够节约刻蚀形成第一掩膜图形所需时长、提高第一掩膜图形的精准度，降低了工艺成本，有利于提高半导体结构的良品率。
主权项：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：在待刻蚀层上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层的材料包括锆的氧化物和或锆的氮氧化物；图形化所述第一掩膜层，形成第一掩膜图形。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的制作方法及半导体结构、掩膜结构
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