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申请/专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日：2022-09-07
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN116130530B
主分类号：H01L31/0352
分类号：H01L31/0352;H01L31/0216;H01L31/0288;H01L31/068;H01L31/18
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2023.06.02#实质审查的生效;2023.05.16#公开
摘要：本发明公开了Topcon太阳能电池及其制备方法，Topcon太阳能电池包括：具有相对的正面和背面的单晶硅层；第一掺杂区，第一掺杂区包括掺杂硅层，掺杂硅层设置在正面；第一电极；第二掺杂区，第二掺杂区与第一掺杂区的导电类型相反，第二掺杂区包括多个间隔设置的第二子掺杂区，第二子掺杂区包括隧穿氧化层和掺杂晶硅层，隧穿氧化层设置在背面，掺杂晶硅层设置在隧穿氧化层的远离单晶硅层的表面；第二电极。本发明通过将背面的第二掺杂区分为多个间隔设置的第二子掺杂区，改善了背面因全面积钝化而导致的poly寄生吸收问题，且有效解决了poly厚度做厚后接触电阻变好，但电流降低的问题。
主权项：1.一种Topcon太阳能电池，其特征在于，包括：单晶硅层，所述单晶硅层具有相对的正面和背面；第一掺杂区，所述第一掺杂区包括掺杂硅层，所述掺杂硅层设置在所述正面；第一电极，所述第一电极与所述掺杂硅层电接触；第二掺杂区，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区的导电类型相反，所述第二掺杂区包括多个间隔设置的第二子掺杂区，所述第二子掺杂区包括隧穿氧化层和掺杂晶硅层，所述隧穿氧化层设置在所述背面，所述掺杂晶硅层设置在所述隧穿氧化层的远离所述单晶硅层的表面；第二电极，所述第二电极与所述掺杂晶硅层电接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 隆基绿能科技股份有限公司 Topcon太阳能电池及其制备方法
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