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申请/专利权人：芜湖协鑫集成新能源科技有限公司

摘要：本申请公开一种TOPCon电池及其制备方法，制备方法：抛光；形成SiOx隧道层和非晶态SiOx层；硼掺；高温退火，双面沉积第一隧穿层、第一掺氧多晶硅层、第二隧穿层和第二掺氧多晶硅层，形成第一、第二p+掺氧多晶硅掺杂层；去正BSG、第二p+掺氧多晶硅掺杂层和第二隧穿层，制绒，去正第一p+掺氧多晶硅掺杂层和第一隧穿层；双面沉积第三隧穿层、多晶硅层；磷扩形成n+多晶硅掺杂层；去非印区正PSG层；去背PSG层、n+多晶硅掺杂层与第三隧穿层，去非印区正n+多晶硅掺杂层与第三隧穿层、背BSG层、印刷区正PSG层；沉积氧化铝膜，沉积背、正钝化减反射膜。本申请制得电池复合效应和寄生吸收低，钝化好，转换率高。

主权项：1.一种TOPCon电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：对N型硅基底进行双面抛光；步骤S2：采用PECVD工艺，通入氧化亚氮作为氧源，硅烷作为硅源，控制氧化亚氮:硅烷的比例范围为5:0～3:2，在等离子体辅助氧化亚氮的氧化条件下，在所述N型硅基底内形成SiOx隧道层，并在所述SiOx隧道层表面沉积非晶态SiOx层，用于辅助氧化亚氮的等离子体功率为5W；随后通入硼源对所述非晶态SiOx层进行掺杂；然后进行高温退火处理，在所述N型硅基底的正面和背面分别依此沉积第一隧穿层、第一掺氧多晶硅层、第二隧穿层和第二掺氧多晶硅层，所述非晶态SiOx层内的硼原子依次扩散至所述第一掺氧多晶硅层、所述第二掺氧多晶硅层，形成第一p+掺氧多晶硅掺杂层、第二p+掺氧多晶硅掺杂层，并在所述第二p+掺氧多晶硅掺杂层表面形成BSG层；步骤S3：依次去除正面所述BSG层、正面所述第二p+掺氧多晶硅掺杂层、正面所述第二隧穿层，对所述N型硅基底进行正面制绒，并去除正面所述第一p+掺氧多晶硅掺杂层、正面所述第一隧穿层；步骤S4：在完成制绒的所述N型硅基底的正面和背面分别依此沉积第三隧穿层、多晶硅层；步骤S5：通入磷源进行磷扩散，形成n+多晶硅掺杂层，并在所述n+多晶硅掺杂层表面形成PSG层；步骤S6：激光开槽去除非电极印刷区的正面所述PSG层；步骤S7：依次去除背面所述PSG层、背面所述n+多晶硅掺杂层、背面所述第三隧穿层、非电极印刷区的正面所述n+多晶硅掺杂层、非电极印刷区的正面所述第三隧穿层、背面所述BSG层、电极印刷区的正面所述PSG层；步骤S8：在背面所述第二p+掺氧多晶硅掺杂层表面沉积氧化铝膜；步骤S9：在所述氧化铝膜表面沉积背面钝化减反射膜；步骤S10：在电极印刷区的正面所述n+多晶硅掺杂层表面沉积正面钝化减反射膜，并覆盖非电极印刷区的所述N型硅基底的正面；步骤S11：进行丝网印刷、制备正负电极、烧结和测试分选。

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