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一种易于去除边缘多晶硅绕镀的N型TOPCon电池的制备方法及一种N型TOPCon电池 

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申请/专利权人:绵阳炘皓新能源科技有限公司

摘要:本发明公开了一种易于去除边缘多晶硅绕镀的N型TOPCon电池的制备方法及一种N型TOPCon电池,电池制备技术领域,包括将硅片依次进行以下步骤:S1:制绒去损伤层;S2:PN结制作;S3:去除硼硅玻璃,并对背表面进行抛光和边缘刻蚀得到电池初始结构;S4:将所述电池初始结构进行双面氧化;S5:在背面沉积一层多晶硅层;S6:在背面进行离子注入;S7:在背表面镀一层SiNx:H膜层;S8:去除多晶硅层及氧化层;S9:在正表面依次沉积一层Al2O3及SiNx:H膜层;S10:设置电极。本发明通过预先在正表面及背表面氧化的方法均生长一层氧化硅层,不仅能够保护正表面对晶硅绕镀层去除过程中对中心区域的破坏作用,而且也解决了硼硅玻璃层保留时产生的边缘漏电较大的问题。

主权项:1.一种易于去除边缘多晶硅绕镀的N型TOPCon电池的制备方法,其特征在于,包括将硅片依次进行以下步骤:S1:制绒去损伤层,去除原始硅片的损伤层,并通过双面制绒处理获得织构硅片;S2:PN结制作,在所述织构硅片上进行PN结的制作工艺;S3:去除硼硅玻璃,并对背表面进行抛光和边缘刻蚀得到电池初始结构;S4:将所述电池初始结构进行双面氧化,使正面和背面均生长一层氧化层;S5:在背面沉积一层多晶硅层;S6:在背面进行离子注入及退火激活掺杂源,以形成多晶硅层掺杂;S7:在背表面镀一层SiNx:H膜层;S8:去除多晶硅层及氧化层;S9:在正表面依次沉积一层Al2O3及SiNx:H膜层;S10:对正背面进行丝网印刷,并进行烧结得到N型TOPCon电池。

全文数据:

权利要求:

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