申请/专利权人：深圳华大九天科技有限公司

申请日：2022-09-05

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN115455875B

主分类号：G06F30/33

分类号：G06F30/33

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2022.12.27#实质审查的生效;2022.12.09#公开

摘要：本发明提供了一种SOI工艺中结电容和结电流的表征方法，包括以下步骤：1）根据BSIM‑BULK模型需要的模型参数，建立SOI器件的BSIM‑BULK模型；2）基于二极管IV和CV测试数据，提取相应模型参数，建立二极管模型；3）基于所述BSIM‑BULK模型和所述二极管模型，分别建立结电容计算模型和结电流计算模型；4）确定结电容和结电流计算模型中的参数值；5）对BSIM‑BULK模型参数RBODYMOD进行修正，将其值从0调整到1，其中RBODYMOD为衬底电阻模型开关；6）基于结电容和结电流的实测数据，对BSIM‑BULK模型的参数CJSWJSW进行微调。本发明解决结电容和结电流建模问题，从而提高模型仿真准确性。

主权项：1.一种SOI工艺中结电容和结电流的表征方法，包括以下步骤：1）根据BSIM-BULK模型需要的模型参数，建立SOI器件的BSIM-BULK模型；2）基于二极管IV和CV测试数据，提取相应模型参数，建立二极管模型；3）基于所述BSIM-BULK模型和所述二极管模型，分别建立结电容计算模型和结电流计算模型；4）确定结电容和结电流计算模型中的参数值；5）对BSIM-BULK模型参数RBODYMOD进行修正，将其值从0调整到1，其中RBODYMOD为衬底电阻模型开关；6）基于结电容和结电流的实测数据，对BSIM-BULK模型的参数CJSWJSW进行微调；其中，所述步骤3）进一步包括，建立结电容计算模型的计算公式为：cjgate=CJSWG*weffcv+CJSW*PD+CJ*AD其中，cjgate为结电容，CJSWG为栅极边缘侧壁结电容，weffcv为交流情况下等效沟道宽度，CJSW为隔离边缘侧壁结电容，PD为漏极相关的结周长，CJ为底部结电容，AD为结面积；建立结电流计算模型的计算公式为：ijgate=JSWG*weffcv+JSW*PD+JS*AD式中，ijgate为结电流，JSWG为栅极边缘侧壁反向饱和电流密度，JSW为二极管参数，为隔离边缘侧壁反向饱和电流密度，PD为漏极相关的结周长，JS为源极相关的底部反向饱和电流密度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳华大九天科技有限公司 一种SOI工艺中结电容和结电流的表征方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD