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申请/专利权人：无锡台翔电子技术发展有限公司

摘要：本发明涉及MOS管测试设备技术领域，具体涉及一种MOS抗脉冲电流测试电路。所述MOS抗脉冲电流测试电路包括：电源电路模块，所述电源电路模块分别与MOS测试电路模块和控制电路模块连接；MOS测试电路模块，所述MOS测试电路模块包括测试MOS管V4，所述测试MOS管V4的栅极连接测试MOS管栅极驱动电路的输出端，所述测试MOS管栅极驱动电路的输入端连接控制电路模块的低电平输出端C‑，所述控制电路模块的低电平输出端C‑输出的低电平能够使得所述测试MOS管栅极驱动电路驱动打开所述测试MOS管V4；控制电路模块，所述控制电路模块包括单片机U3及其外围电路。所述MOS抗脉冲电流测试电路通过抗脉冲保护电路的抗脉冲性能能够防止能够有效地防止整个MOS测试电路模块被烧毁。

主权项：1.一种MOS抗脉冲电流测试电路，其特征在于，所述MOS抗脉冲电流测试电路包括：电源电路模块（100），所述电源电路模块（100）分别与MOS测试电路模块（200）和控制电路模块（300）连接；MOS测试电路模块（200），所述MOS测试电路模块（200）包括测试MOS管V4，所述测试MOS管V4的栅极连接测试MOS管栅极驱动电路（210）的输出端，所述测试MOS管栅极驱动电路（210）的输入端连接控制电路模块（300）的低电平输出端C-，所述控制电路模块（300）的低电平输出端C-输出的低电平能够使得所述测试MOS管栅极驱动电路（210）驱动打开所述测试MOS管V4；所述测试MOS管V4的漏极连接第十三电阻R13的一端，所述测试MOS管V4的源极接地；所述第十三电阻R13的另一端连接抗脉冲保护电路（220）的输出端；控制电路模块（300），所述控制电路模块（300）包括单片机U3及其外围电路；所述抗脉冲保护电路（220）包括并联的第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3，且所述第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3并联的源极为所述抗脉冲保护电路（220）的输出端；所述第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3的栅极共同连接保护MOS管栅极驱动电路（230）的输出端；所述测试MOS管栅极驱动电路（210）包括：第九电阻R9，第十一电阻R11，第十五电阻R15，第十六电阻R16，第十九电阻R19，第三三极管Q3，第五三极管Q5，第六三极管Q6；所述第九电阻R9的一端连接15v电源和第三三极管Q3的发射极，所述第三三极管Q3的集电极连接第十一电阻R11的一端，所述第十一电阻R11的另一端连接第十九电阻R19的一端，所述第十九电阻R19的另一端为所述驱动电路的输出端，用于连接所述测试MOS管的栅极；所述第九电阻R9的另一端和第三三极管Q3的基极分别连接第五三极管Q5的集电极，所述第五三极管Q5的基极连接5v电源，第五三极管Q5的发射极连接所述控制电路模块（300）的低电平输出端C-以及第十六电阻R16的一端，所述第十六电阻R16的另一端连接第六三极管Q6的基极，所述第六三极管Q6的集电极连接在第十一电阻R11和第十九电阻R19之间，第六三极管Q6的发射极接地；第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2、第一保护MOS管V3的电流能力远大于测试MOS管V4。

全文数据：MOS抗脉冲电流测试电路技术领域本发明涉及MOS管测试设备技术领域，具体涉及一种MOS抗脉冲电流测试电路。背景技术MOS在各种应用场合都会遇到开机大电流和负载短路时候的电流冲击问题，但是MOS管在这种大电流冲击下，能经受多大电流及多长时间，用者并没有一个量化的参数，MOS管原厂厂家虽然会提供一个的值，但是绝大多数请款下这个值只是简单的利用*4简单得出，测试条件、脉冲宽度条件都不会给出，无法得出量化条件。另外，虽然也可以通过动态热阻曲线图计算得出，但是国内大多数厂家的这张曲线图是通过仿真或其他途径得出，并不是每个产品都是实测值。发明内容为了解决现有技术中存在的不足，本发明提供一种MOS抗脉冲电流测试电路，所述MOS抗脉冲电流测试电路通过抗脉冲保护电路的抗脉冲性能能够防止能够有效地防止整个MOS测试电路模块被烧毁。根据本发明提供的技术方案，一种MOS抗脉冲电流测试电路，所述MOS抗脉冲电流测试电路包括：电源电路模块，所述电源电路模块分别与MOS测试电路模块和控制电路模块连接；MOS测试电路模块，所述MOS测试电路模块包括测试MOS管V4，所述测试MOS管V4的栅极连接测试MOS管栅极驱动电路的输出端，所述测试MOS管栅极驱动电路的输入端连接控制电路模块的低电平输出端C-，所述控制电路模块的低电平输出端C-输出的低电平能够使得所述测试MOS管栅极驱动电路驱动打开所述测试MOS管V4；所述测试MOS管V4的漏极连接第十三电阻R13的一端，所述测试MOS管V4的源极接地；所述第十三电阻R13的另一端连接抗脉冲保护电路的输出端；控制电路模块，所述控制电路模块包括单片机U3及其外围电路。进一步地，所述抗脉冲保护电路包括并联的第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3，且所述第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3并联的源极为所述抗脉冲保护电路的输出端；所述第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3的栅极共同连接保护MOS管栅极驱动电路的输出端。进一步地，所述测试MOS管栅极驱动电路包括：第九电阻R9，第十一电阻R11，第十五电阻R15，第十六电阻R16，第十九电阻R19，第三三极管Q3，第五三极管Q5，第六三极管Q6；所述第九电阻R9的一端连接15v电源和第三三极管Q3的发射极，所述第三三极管Q3的集电极连接第十一电阻R11的一端，所述第十一电阻R11的另一端连接第十九电阻R19的一端，所述第十九电阻R19的另一端为所述驱动电路的输出端，用于连接所述测试MOS管的栅极。所述第九电阻R9的另一端和第三三极管Q3的基极分别连接第五三极管Q5的集电极，所述第五三极管Q5的基极连接5v电源，第五三极管Q5的发射极连接所述控制电路模块的低电平输出端C-以及第十六电阻R16的一端，所述第十六电阻R16的另一端连接第六三极管Q6的基极，所述第六三极管Q6的集电极连接在第十一电阻R11和第十九电阻R19之间，第六三极管Q6的发射极接地。进一步地，所述测试MOS管栅极驱动电路包括：第九电阻R9，第十一电阻R11，第十五电阻R15，第十六电阻R16，第十九电阻R19，第三三极管Q3，第五三极管Q5，第六三极管Q6；所述第九电阻R9的一端连接15v电源和第三三极管Q3的发射极，所述第三三极管Q3的集电极连接第十一电阻R11的一端，所述第十一电阻R11的另一端连接第十九电阻R19的一端，所述第十九电阻R19的另一端为所述驱动电路的输出端，用于连接所述测试MOS管的栅极。所述第九电阻R9的另一端和第三三极管Q3的基极分别连接第五三极管Q5的集电极，所述第五三极管Q5的基极连接5v电源，第五三极管Q5的发射极连接所述控制电路模块的低电平输出端C-以及第十六电阻R16的一端，所述第十六电阻R16的另一端连接第六三极管Q6的基极，所述第六三极管Q6的集电极连接在第十一电阻R11和第十九电阻R19之间，第六三极管Q6的发射极接地。进一步地，所述电源电路模块包括电源集成芯片U1和电源调整芯片U2及其外围电路，所述外围电路包括第一电阻R1，第一电容C1，第二电容C2，第三电容C3，第四电容C4，第五电容C5，第六电容C6，第一二极管D1，第二二极管D2，第五二极管D5；所述第一电容C1的正极分别连接电源集成芯片U1的输出端DRAIN端和第一电阻R1，并且所述第一电容C1的正极输出电源给第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3的漏极，所述第一电容C1的负极接地，第一电阻R1的另一端连接第一二极管D1的输入端，第一二极管D1的负极接地；所述电源集成芯片U1的电源输出端VCC分别连接第二二极管D2的输出端和第二电容C2的正极，所述第二电容C2的负极连接第一电感L1的一端和电源集成芯片U1的接地端GND，第一电感L1的第一端连接第二二极管D2的输入端；电源调整芯片U2的输入端分别连接第三电容C3的正极和第四电容C4的一端，所述第三电容C3的负极和第四电容C4的另一端连接第五二极管D5的输入端，所述第五二极管D5的输出端连接电源集成芯片U1的接地端GND，所述电源调整芯片U2的输出端连接第五电容C5的正极和第六电容C6的一端，所述第五电容C5的负极和第六电容C6的另一端连接电源调整芯片U2的接地端。从以上所述可以看出，本发明提供的MOS抗脉冲电流测试电路，与现有技术相比具备以下优点：第一，由于第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3选取规格的电流能力远大于测试MOS管V4，且由于是三管并联，电流余量非常大，在实际使用中是不会出现电流无法关闭的情况；第二，即使测试MOS管V4发生击穿后，第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3能够进行关闭，从而断开电流回路防止使测试MOS管V4击穿后持续大电流烧毁第十三电阻R13。附图说明图1为本发明的电路结构示意图。100.电源电路模块，200.MOS测试电路模块，210.测试MOS管栅极驱动电路，220.抗脉冲保护电路，230.保护MOS管栅极驱动电路，300.控制电路模块。具体实施方式为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。其中相同的零部件用相同的附图标记表示。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向。使用的词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。一种MOS抗脉冲电流测试电路，如图1所示，包括：电源电路模块100，所述电源电路模块100分别与MOS测试电路模块200和控制电路模块300连接，用于MOS测试电路模块200提供电压，给所述控制电路模块300提供电压。MOS测试电路模块200，所述MOS测试电路模块200包括测试MOS管V4，所述测试MOS管V4的栅极连接测试MOS管栅极驱动电路210的输出端，所述测试MOS管栅极驱动电路210的输入端连接控制电路模块300的低电平输出端C-，所述控制电路模块300的低电平输出端C-输出的低电平能够使得所述测试MOS管栅极驱动电路210驱动打开所述测试MOS管V4；控制电路模块300，所述控制电路模块300包括单片机U3及其外围电路。所述单片机U3的外围电路包括复位电路单元，所述复位电路单元包括第六二极管D6，第十七电阻R17，第十八电阻R18，第一按钮S1。所述测试MOS管V4的漏极连接第十三电阻R13的一端，所述测试MOS管V4的源极接地；所述第十三电阻R13的另一端连接抗脉冲保护电路220的输出端；所述抗脉冲保护电路220包括并联的第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3，且所述第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3并联的源极为所述抗脉冲保护电路220的输出端；所述第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3的栅极共同连接保护MOS管栅极驱动电路230的输出端，所述保护MOS管栅极驱动电路230的输入端连接控制电路模块300的高电平输出端B+，控制电路模块300的高电平输出端B+输出的高电平能够使得保护MOS管栅极驱动电路230驱动所述第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3打开；所述第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3的漏极均连接漏极电压VCC；可以理解的是，当保护MOS管栅极驱动电路230驱动MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3打开时，通过打开保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3，漏极电压VCC就可以通过这个并联第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3，并通过第十三电阻R13加载到需要测试MOS管V4上；当测试MOS管栅极驱动电路210驱动测试MOS管V4打开时，电流回路为漏极电压VCC→第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3→第十三电阻R13→测试MOS管V4→地；并且所述第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2、第一保护MOS管V3和第十三电阻R13能够有效地防止整个MOS测试电路模块200被烧毁，原理在于：第一，由于第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3选取规格的电流能力远大于测试MOS管V4，且由于是三管并联，电流余量非常大，在实际使用中是不会出现电流无法关闭的情况；第二，即使测试MOS管V4发生击穿后，第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3能够进行关闭，从而断开电流回路防止使测试MOS管V4击穿后持续大电流烧毁第十三电阻R13。具体地，所述测试MOS管栅极驱动电路210包括：第九电阻R9，第十一电阻R11，第十五电阻R15，第十六电阻R16，第十九电阻R19，第三三极管Q3，第五三极管Q5，第六三极管Q6；所述第九电阻R9的一端连接15v电源和第三三极管Q3的发射极，所述第三三极管Q3的集电极连接第十一电阻R11的一端，所述第十一电阻R11的另一端连接第十九电阻R19的一端，所述第十九电阻R19的另一端为所述驱动电路的输出端，用于连接所述测试MOS管的栅极。所述第九电阻R9的另一端和第三三极管Q3的基极分别连接第五三极管Q5的集电极，所述第五三极管Q5的基极连接5v电源，第五三极管Q5的发射极连接所述控制电路模块300的低电平输出端C-以及第十六电阻R16的一端，所述第十六电阻R16的另一端连接第六三极管Q6的基极，所述第六三极管Q6的集电极连接在第十一电阻R11和第十九电阻R19之间，第六三极管Q6的发射极接地。具体地，所述保护MOS管栅极驱动电路230包括：第三二极管D3和第四二极管D4，第二电阻R2，第三电阻R3，第四电阻R4，第五电阻R5，第六电阻R6，第七电阻R7，第八电阻R8，第十电阻R10，第十二电阻R12，第一三极管Q1，第二三极管Q2，第四三极管Q4，第七电容C7和第八电容C8。第三二极管D3的输入端连接15v电源，所述第三二极管D3输出端连接所述第四电阻R4的一端、第二三极管Q2的发射极和第七电容C7的正极；第四电阻R4的另一端连接第二三极管Q2的基极和第一三极管Q1的集电极，第二三极管Q2的集电极连接第四二极管D4的输入端、第十二电阻R12的一端和第四三极管Q4的基极，所述第四二极管D4的输出端连接第五电阻R5的一端，所述第五电阻R5的另一端分别连接第四三极管Q4的发射极、第六电阻R6的一端、第七电阻R7的一端、第八电阻R8的一端和第八电容C8的一端，所述第八电容C8的另一端连接第十四电阻R14，所述第十四电阻R14的另一端接地；所述第六电阻R6的另一端、第七电阻R7的另一端和第八电阻R8的另一端分别对应连接一保护MOS管V1的栅极、第一保护MOS管V2的栅极和第一保护MOS管V3的栅极；所述第十二电阻R12的另一端分别连接第四三极管Q4的集电极、第七电容C7的负极以及第十三电阻R13的另一端；所述第一三极管Q1的基极连接第三电阻R3的一端，所述第三电阻R3的另一端分别连接控制电路模块300的高电平输出端B+和第二电阻R2的一端，所述第二电阻的另一端连接第十电阻R10的一端并接地，所述第十电阻的另一端连接第一三极管Q1的发射极；具体地，所述电源电路模块100包括电源集成芯片U1和电源调整芯片U2及其外围电路，所述外围电路包括第一电阻R1，第一电容C1，第二电容C2，第三电容C3，第四电容C4，第五电容C5，第六电容C6，第一二极管D1，第二二极管D2，第五二极管D5；所述第一电容C1的正极分别连接电源集成芯片U1的输出端DRAIN端和第一电阻R1，并且所述第一电容C1的正极输出电源给第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3的漏极，所述第一电容C1的负极接地，第一电阻R1的另一端连接第一二极管D1的输入端，第一二极管D1的负极接地；所述电源集成芯片U1的电源输出端VCC分别连接第二二极管D2的输出端和第二电容C2的正极，所述第二电容C2的负极连接第一电感L1的一端和电源集成芯片U1的接地端GND，第一电感L1的第一端连接第二二极管D2的输入端；电源调整芯片U2的输入端分别连接第三电容C3的正极和第四电容C4的一端，所述第三电容C3的负极和第四电容C4的另一端连接第五二极管D5的输入端，所述第五二极管D5的输出端连接电源集成芯片U1的接地端GND，所述电源调整芯片U2的输出端连接第五电容C5的正极和第六电容C6的一端，所述第五电容C5的负极和第六电容C6的另一端连接电源调整芯片U2的接地端。所属领域的普通技术人员应当理解：以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的主旨之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

权利要求：1.一种MOS抗脉冲电流测试电路，其特征在于，所述MOS抗脉冲电流测试电路包括：电源电路模块100，所述电源电路模块100分别与MOS测试电路模块200和控制电路模块300连接；MOS测试电路模块200，所述MOS测试电路模块200包括测试MOS管V4，所述测试MOS管V4的栅极连接测试MOS管栅极驱动电路210的输出端，所述测试MOS管栅极驱动电路210的输入端连接控制电路模块300的低电平输出端C-，所述控制电路模块300的低电平输出端C-输出的低电平能够使得所述测试MOS管栅极驱动电路210驱动打开所述测试MOS管V4；所述测试MOS管V4的漏极连接第十三电阻R13的一端，所述测试MOS管V4的源极接地；所述第十三电阻R13的另一端连接抗脉冲保护电路220的输出端控制电路模块300，所述控制电路模块300包括单片机U3及其外围电路。2.如权利要求1所述的MOS抗脉冲电流测试电路，其特征在于，所述抗脉冲保护电路220包括并联的第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3，且所述第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3并联的源极为所述抗脉冲保护电路220的输出端；所述第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3的栅极共同连接保护MOS管栅极驱动电路230的输出端。3.如权利要求2所述的MOS抗脉冲电流测试电路，其特征在于，所述测试MOS管栅极驱动电路210包括：第九电阻R9，第十一电阻R11，第十五电阻R15，第十六电阻R16，第十九电阻R19，第三三极管Q3，第五三极管Q5，第六三极管Q6；所述第九电阻R9的一端连接15v电源和第三三极管Q3的发射极，所述第三三极管Q3的集电极连接第十一电阻R11的一端，所述第十一电阻R11的另一端连接第十九电阻R19的一端，所述第十九电阻R19的另一端为所述驱动电路的输出端，用于连接所述测试MOS管的栅极。所述第九电阻R9的另一端和第三三极管Q3的基极分别连接第五三极管Q5的集电极，所述第五三极管Q5的基极连接5v电源，第五三极管Q5的发射极连接所述控制电路模块300的低电平输出端C-以及第十六电阻R16的一端，所述第十六电阻R16的另一端连接第六三极管Q6的基极，所述第六三极管Q6的集电极连接在第十一电阻R11和第十九电阻R19之间，第六三极管Q6的发射极接地。4.如权利要求1所述的MOS抗脉冲电流测试电路，其特征在于，所述测试MOS管栅极驱动电路210包括：第九电阻R9，第十一电阻R11，第十五电阻R15，第十六电阻R16，第十九电阻R19，第三三极管Q3，第五三极管Q5，第六三极管Q6；所述第九电阻R9的一端连接15v电源和第三三极管Q3的发射极，所述第三三极管Q3的集电极连接第十一电阻R11的一端，所述第十一电阻R11的另一端连接第十九电阻R19的一端，所述第十九电阻R19的另一端为所述驱动电路的输出端，用于连接所述测试MOS管的栅极。所述第九电阻R9的另一端和第三三极管Q3的基极分别连接第五三极管Q5的集电极，所述第五三极管Q5的基极连接5v电源，第五三极管Q5的发射极连接所述控制电路模块300的低电平输出端C-以及第十六电阻R16的一端，所述第十六电阻R16的另一端连接第六三极管Q6的基极，所述第六三极管Q6的集电极连接在第十一电阻R11和第十九电阻R19之间，第六三极管Q6的发射极接地。5.如权利要求1所述的MOS抗脉冲电流测试电路，其特征在于，所述电源电路模块100包括电源集成芯片U1和电源调整芯片U2及其外围电路，所述外围电路包括第一电阻R1，第一电容C1，第二电容C2，第三电容C3，第四电容C4，第五电容C5，第六电容C6，第一二极管D1，第二二极管D2，第五二极管D5；所述第一电容C1的正极分别连接电源集成芯片U1的输出端DRAIN端和第一电阻R1，并且所述第一电容C1的正极输出电源给第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3的漏极，所述第一电容C1的负极接地，第一电阻R1的另一端连接第一二极管D1的输入端，第一二极管D1的负极接地；所述电源集成芯片U1的电源输出端VCC分别连接第二二极管D2的输出端和第二电容C2的正极，所述第二电容C2的负极连接第一电感L1的一端和电源集成芯片U1的接地端GND，第一电感L1的第一端连接第二二极管D2的输入端；电源调整芯片U2的输入端分别连接第三电容C3的正极和第四电容C4的一端，所述第三电容C3的负极和第四电容C4的另一端连接第五二极管D5的输入端，所述第五二极管D5的输出端连接电源集成芯片U1的接地端GND，所述电源调整芯片U2的输出端连接第五电容C5的正极和第六电容C6的一端，所述第五电容C5的负极和第六电容C6的另一端连接电源调整芯片U2的接地端。

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