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申请/专利权人：硅电子股份公司
摘要：一种用于制备半导体晶片的方法，其中对半导体材料的单晶晶锭进行提拉，并且从半导体材料的晶锭中移除至少一个晶片，其中对晶片进行热处理，该热处理包含热处理步骤，在该热处理步骤中，径向温度梯度作用于晶片上，其中对半导体材料的晶片进行关于晶格中缺陷的形成的分析，即所谓的应力场的分析。
主权项：1.一种用于制备半导体晶片的方法，其包括如下以给定顺序的步骤：1从熔体中提拉半导体材料的单晶棒，并任选对所述棒进行外圆研磨，2从所述单晶棒移除至少一个晶片以用于分析，3执行对应于用户规格的第一热处理步骤，并对半导体材料的所述至少一个晶片执行第二热处理步骤，其中在第二热处理步骤中，径向温度梯度从内向外或从外向内作用于所述半导体晶片的至少一侧，4分析在步骤3中处理的半导体材料的晶片的内部区域中关于应力场的可能形成范围，5将该晶片和从该晶片表示的棒段分离的晶片区分为符合用户规格的应力优化晶片和不符合用户规格的不合格晶片，其中所述径向温度梯度作用在所述晶片的除了离所述晶片边缘不大于20mm的距离的晶片边缘区域之外的所有区域上，并且其中作用在所述晶片上的温度梯度在n个相邻的径向区域上延伸，n是整数并且大于1，在两个相邻区域之间的温度梯度是1开尔文至50开尔文。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 硅电子股份公司 用于制备半导体晶片的方法
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