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申请/专利权人：株式会社电装
摘要：本发明涉及碳化硅晶片的制造方法、半导体衬底的制造方法和碳化硅半导体装置的制造方法。提供了SiC晶片的制造方法，其可以增加可以由所制造的SiC单晶锭制备的SiC晶片的收率和半导体芯片的成品收率。在由SiC单晶锭80形成圆柱部时，圆柱部的直径逐渐改变。具体地，将被配置成具有截头圆锥形状的SiC单晶锭80制成其直径从SiC单晶锭80的上表面朝向下表面增加的圆柱部，而不是都具有相同直径的圆柱部。
主权项：1.一种通过将碳化硅单晶锭切片来制造碳化硅晶片的碳化硅晶片的制造方法，包括：制备具有截头圆锥形状的所述碳化硅单晶锭，所述截头圆锥形状包括上表面和直径大于所述上表面的下表面；通过对具有截头圆锥形状的所述碳化硅单晶锭进行研磨加工而去除所述碳化硅单晶锭的外缘部，来形成具有从所述上表面朝向所述下表面增加的不同直径的复数段的圆柱部；以及将所述圆柱部切片成所述碳化硅晶片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社电装 碳化硅晶片的制造方法、半导体衬底的制造方法和碳化硅半导体装置的制造方法
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