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申请/专利权人：浙江工业大学
摘要：本发明公开了基于电化学‑剪切流变复合效应的碳化硅晶片加工方法，采用电化学反应与剪切流变效应相结合，通过外加电场的作用下，发生电化学反应，碳化硅工件作为阳极，非牛顿流体抛光液作为阴极，碳化硅工件浸入非牛顿流体抛光液中，各组分相互连接形成闭合电解系统，阳极发生氧化反应，工件表面生成氧化膜SiO2，与非牛顿流体抛光液中的CeO2接触发生化学反应，生成CeSiO4，抛光液中的金刚石磨粒与工件表面接触，在金刚石磨粒微切削作用下去除CeSiO4从而实现对碳化硅工件表面的抛光，工件表面由于电化学反应生成氧化膜使得工件表面改性变软，与非牛顿流体抛光液的相对剪切作用实现柔性抛光去除氧化层，不会对工件表面造成亚损伤，且抛光效率高，抛光质量好。
主权项：1.基于电化学-剪切流变复合效应的碳化硅晶片加工方法，其特征在于：采用该方法抛光时，抛光槽中设有阴极电极，与外接电源的阴极相连，外接电源的阳极与碳化硅工件连接，抛光槽内具有非牛顿流体抛光液，碳化硅工件浸入非牛顿流体抛光液中，抛光槽由抛光槽主轴驱动作旋转运动，碳化硅工件由工件主轴驱动作旋转运动；所述非牛顿流体抛光液中包含电解质、多羟基聚合物、去离子水以及磨粒，所述磨粒包括CeO2磨粒和金刚石磨粒；抛光过程中，将工件浸入非牛顿流体抛光液中，开启外接电源，工件与抛光液之间形成闭合电解系统，发生电化学反应；非牛顿流体抛光液作为阴极，通过外加电场的作用下使得H2O发生还原反应分解出OH-；碳化硅工件作为阳极，其表面发生氧化反应，工件表面的SiC与抛光液中的OH-反应生成SiO2，工件表面的SiO2和非牛顿流体抛光液中的CeO2磨粒接触发生化学反应生成CeSiO4，非牛顿流体抛光液中的金刚石磨粒在运动过程中与工件表面接触，在金刚石磨粒的微切削作用下使得CeSiO4与工件分离，从而实现对碳化硅工件表面的抛光，随着氧化膜的分离，阳极氧化过程再次进行，工件表面的粗糙峰随着电化学反应和剪切流变抛光的持续进行而被有效去除。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江工业大学 基于电化学-剪切流变复合效应的碳化硅晶片加工方法
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