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申请/专利权人：株式会社堀场STEC
摘要：本发明提供晶片温度控制装置、晶片温度控制方法及存储介质。本发明提供一种晶片温度控制装置，通过调整气体的压力来控制晶片的温度，预测将来的晶片温度，将晶片温度控制为目标温度，在被温度调整后的板载置晶片，向板与晶片之间供给气体，对晶片的温度进行控制，具备：压力调整器，调整气体的压力；附近温度传感器，测定晶片的附近温度；以及压力控制部，基于由附近温度传感器测定的附近温度和晶片的目标温度，通过模型预测控制对向压力调整器输入的压力操作量进行控制，压力控制部使用根据气体的压力求出的板与晶片之间的热传递率作为变量的模型，作为模型预测控制的预测模型。
主权项：1.一种晶片温度控制装置，在被温度调整后的板载置晶片，向所述板与所述晶片之间供给气体，对所述晶片的温度进行控制，其特征在于，具备：压力调整器，调整所述气体的压力；附近温度传感器，测定所述晶片的附近温度；以及压力控制部，基于由所述附近温度传感器测定的附近温度和所述晶片的目标温度，通过模型预测控制对向所述压力调整器输入的压力操作量进行控制，所述压力控制部使用将所述板与所述晶片之间的热传递系数作为根据所述气体的压力求出的变量的模型，作为所述模型预测控制的预测模型。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社堀场STEC 晶片温度控制装置、晶片温度控制方法及存储介质
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