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申请/专利权人：飞锃半导体(上海)有限公司
申请日：2024-03-21
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299266A
主分类号：H01L21/336
分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本申请提供一种具有沟槽栅极结构的碳化硅器件及其形成方法，所述碳化硅器件包括：基底，所述基底包括碳化硅衬底以及位于所述碳化硅衬底表面的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层中形成有栅极沟槽；第二高掺杂区，位于靠近所述栅极沟槽顶部的侧壁的部分碳化硅外延层中；栅极介质层,位于所述栅极沟槽底部和侧壁且顶面与所述第二高掺杂区的顶面平齐；沟槽栅极，位于所述栅极沟槽中，所述沟槽栅极的顶面与所述第二高掺杂区底面平齐；隔离层，位于所述沟槽栅极上，所述隔离层的顶面与所述第二高掺杂区的顶面平齐。本申请提供一种具有沟槽栅极结构的碳化硅器件及其形成方法，可以缓和沟槽栅极底部的电场以及提高源极金属和碳化硅外延层的电连接性。
主权项：1.一种具有沟槽栅极结构的碳化硅器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括碳化硅衬底以及位于所述碳化硅衬底表面的碳化硅外延层，所述碳化硅外延层中形成有栅极沟槽；在靠近所述栅极沟槽顶部的侧壁的部分碳化硅外延层中形成第二高掺杂区；在所述栅极沟槽底部和侧壁形成栅极介质层；在所述栅极沟槽中形成沟槽栅极，所述沟槽栅极的顶面与所述第二高掺杂区底面平齐；在所述沟槽栅极上形成隔离层，所述隔离层的顶面低于所述第二高掺杂区的顶面；去除高于所述隔离层顶面的部分第二高掺杂区和栅极介质层；在所述碳化硅外延层上形成覆盖所述碳化硅外延层填满所述栅极沟槽的源极金属，所述源极金属电连接所述第二高掺杂区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 飞锃半导体(上海)有限公司 一种具有沟槽栅极结构的碳化硅器件及其形成方法
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