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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了栅极结构和包括该栅极结构的半导体装置。该栅极结构包括：第一导电图案，包括第一金属或第一金属化合物并且掺杂有第二金属或硅；第二导电图案，在第一导电图案上，第二导电图案包括第三金属；以及栅极绝缘图案，覆盖第一导电图案的下表面和侧壁以及第二导电图案的侧壁；其中，第二金属的功函数小于第一金属的功函数并且小于第一金属化合物的功函数。
主权项：1.一种栅极结构，所述栅极结构包括：第一导电图案，包括第一金属或第一金属化合物并且掺杂有第二金属或硅；第二导电图案，在所述第一导电图案上，所述第二导电图案包括第三金属；以及栅极绝缘图案，覆盖所述第一导电图案的下表面和侧壁以及所述第二导电图案的侧壁，其中，所述第二金属的功函数小于所述第一金属的功函数并且小于所述第一金属化合物的功函数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 栅极结构和包括该栅极结构的半导体装置
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