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申请/专利权人：中电化合物半导体有限公司
摘要：本发明提供一种碳化硅晶体及其制备方法，具体涉及碳化硅晶体生长技术领域。所述碳化硅晶体的制备方法包括：以金属箔密封包裹富硅物质；将包裹有所述富硅物质的金属箔放入盛有碳化硅粉料的坩埚内，并将所述坩埚置于生长设备内；在真空下将所述生长设备升温至第一预设温度，对所述碳化硅粉料进行预热处理；将所述生长设备的温度升至第二预设温度，包裹有所述富硅物质的金属箔释放富硅气相，以进行碳化硅晶体生长；将所述生长设备冷却至室温，获得碳化硅晶体。本发明的制备方法可以减少碳化硅晶体中的碳包裹物缺陷，提高碳化硅晶体的质量。
主权项：1.一种碳化硅晶体的制备方法，其特征在于，包括：以金属箔密封包裹富硅物质；将包裹有所述富硅物质的金属箔放入盛有碳化硅粉料的坩埚内，并将所述坩埚置于生长设备内；在真空下将所述生长设备升温至第一预设温度，对所述碳化硅粉料进行预热处理；将所述生长设备的温度升至第二预设温度，包裹有所述富硅物质的金属箔释放富硅气相，以进行碳化硅晶体生长；将所述生长设备冷却至室温，获得碳化硅晶体。
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百度查询： 中电化合物半导体有限公司 一种碳化硅晶体及其制备方法
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