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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日：2024-04-17
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299334A
主分类号：H01L23/13
分类号：H01L23/13;H01L23/31;H01L23/538;H01L21/56;H01L21/768
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明公开了一种基板结构和基板结构的制造方法，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中利用DAF将硅桥粘贴在基板的容纳槽中，但是上述引入的DAF是一种不确定的异物，使EMIB基板结构存在硅桥应力分布不均的问题，进而导致基板结构具有开裂的可靠性风险的问题。该基板结构包括：基板和硅桥结构。基板具有容纳槽，硅桥结构设置于容纳槽内。绝缘层覆盖于硅桥结构和基板上，部分绝缘层用于将硅桥结构埋入基板内。多个基板焊盘位于绝缘层的表面。硅桥结构包括：硅桥和粘结层。硅桥具有硅桥布线，粘结层设置于硅桥，且位于背离硅桥布线的一面。粘结层的材质和绝缘层的材质相同，硅桥通过粘结层与基板连接。
主权项：1.一种基板结构，其特征在于，包括：基板，具有容纳槽；硅桥结构，设置于所述容纳槽内；绝缘层，覆盖于所述硅桥结构和所述基板上；部分所述绝缘层用于将所述硅桥结构埋入所述基板内；多个基板焊盘，位于所述绝缘层的表面；所述硅桥结构包括：硅桥，具有硅桥布线；粘结层，设置于所述硅桥，且位于背离所述硅桥布线的一面；所述粘结层的材质和所述绝缘层的材质相同；所述硅桥通过所述粘结层与所述基板连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种基板结构和基板结构的制造方法
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