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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置抑制附着于排气路径的沉积物。所述基板处理装置具备处理室、第一气体供给部、排气装置、第一排气管以及能量供给装置。处理室收容被处理基板。第一气体供给部通过向处理室内供给包含第一单体的气体和包含通过与第一单体发生聚合反应来形成聚合物的第二单体的气体，来在被处理基板形成聚合物的膜。排气装置对处理室内的气体进行排气。第一排气管将处理室与排气装置连接。能量供给装置向在第一排气管内流动的气体供给能量，由此使从处理室排出的气体中包含的第一单体和第二单体中的至少任一方的未反应成分低分子化。
主权项：1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：腔室，其收容被处理基板；第一气体供给部，其向所述腔室内供给包含第一单体的气体和包含通过与所述第一单体发生聚合反应来形成聚合物的第二单体的气体，由此在所述被处理基板形成所述聚合物的膜；排气装置，其对所述腔室内的气体进行排气；第一排气管，其将所述腔室与所述排气装置连接；能量供给装置，其向在所述第一排气管内流动的气体供给能量，由此使从所述腔室排出的气体中包含的第一单体和第二单体中的至少任一方的未反应成分低分子化；第二排气管，其将所述腔室与所述排气装置连接；第一阀，其设置于所述第一排气管的处于所述能量供给装置与所述排气装置之间的部位；第二阀，其设置于所述第二排气管；以及第三气体供给部，其向所述第一排气管的处于所述能量供给装置与所述第一阀之间的排气管内供给含氧气体，其中，所述能量供给装置利用通过向在所述第一排气管内流动的气体供给高频电力而生成的等离子体来向在所述第一排气管内流动的气体供给能量，由此使从所述腔室排出的气体中包含的第一单体和第二单体中的至少任一方的未反应成分低分子化，当在所述被处理基板形成所述聚合物的膜的情况下，打开所述第一阀，关闭所述第二阀，向从所述腔室经由所述第一排气管流向所述排气装置的气体照射由所述能量供给装置生成的等离子体，在进行所述腔室内的清洁的情况下，关闭所述第一阀，打开所述第二阀，利用所述能量供给装置使从所述第三气体供给部供给的含氧气体等离子体化，利用等离子体中包含的活性种对所述腔室内进行清洁。
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权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
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