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碳化硅外延石墨烯的方法 

申请/专利权人:江苏西迈科技有限公司

申请日:2023-01-03

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN118292100A

主分类号:C30B23/06

分类号:C30B23/06;C30B29/02

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要:一种碳化硅外延石墨烯的方法,其包括:提供制备容器,制备容器包括容置空间和与容置空间相连通的逃逸孔;在容置空间的内壁预沉积硅原子,并将碳化硅衬底放入制备容器的容置空间;将制备容器加热至第一温度,以使预沉积的硅原子升华,在容置空间形成硅蒸汽;以及将制备容器加热至第二温度,以使碳化硅衬底表面的硅原子升华,并通过逃逸孔从容置空间逃逸,从而生长石墨烯。由此,通过在容置空间的内壁预沉积硅原子,该碳化硅外延石墨烯的方法可使得制备容器内的硅蒸汽压进一步提高,这可以使石墨烯初始生长温度更高,从而能够增大石墨烯的晶畴面积,提高石墨烯的结晶质量和均匀性,并可制备出不同规格的产品。

主权项:1.一种碳化硅外延石墨烯的方法,包括:提供制备容器,所述制备容器包括容置空间和与所述容置空间相连通的逃逸孔;在所述容置空间的内壁预沉积硅原子,并将碳化硅衬底放入所述制备容器的所述容置空间;将所述制备容器加热至第一温度,以使预沉积的所述硅原子升华,在所述容置空间形成硅蒸汽;以及将所述制备容器加热至第二温度,以使所述碳化硅衬底表面的硅原子升华,并通过所述逃逸孔从所述容置空间逃逸,从而生长石墨烯。

全文数据:

权利要求:

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