申请/专利权人：南京大学

申请日：2024-04-23

公开（公告）日：2024-07-02

公开（公告）号：CN118116915B

主分类号：H01L23/552

分类号：H01L23/552;H01L29/778;H01L29/417;H01L21/335;H01L29/423;H01L21/28

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.02#授权;2024.06.18#实质审查的生效;2024.05.31#公开

摘要：本发明公开一种梳齿状抗辐照GaNHEMT器件结构及其制作方法，属于半导体技术领域。本发明通过在栅极金属层漏极侧设有与势垒层直接接触的分段间隔交替排布的第一肖特基金属层与第二肖特基金属层，源极上的互联金属层与第一肖特基金属相连形成了横向的梳齿状结构一，这样设计能够最大程度上避免了全部肖特基金属层与第二顶层金属层相连时源极上互联金属场板过短从而影响到器件的击穿能力的问题；第二顶层金属层与第二肖特基金属层相连形成了纵向的梳齿状结构二，这样设计能够避免全部肖特基金属层与源极相连时漏电过大的问题；上述结构设计，使得辐照产生的感生电荷能够从第一、二肖特基金属层流出晶体管，防止正电荷积累导致的辐照损伤现象。

主权项：1.一种梳齿状抗辐照GaNHEMT器件结构，包括自下而上依次设置的衬底层（1）、氮化镓层（2）、势垒层（3）、栅极结构（4）和第二介质层（5），所述栅极结构（4）包括设于所述势垒层（3）顶面的第一介质层（4.1）和设于所述第一介质层（4.1）顶面的栅极金属层（4.2），所述栅极金属层（4.2）两侧的所述势垒层（3）上嵌置有源极和漏极，所述源极和漏极均包括自下而上依次设置的欧姆金属层（6）、互联金属层（7）和第一顶层金属层（8）；所述栅极金属层（4.2）的漏极侧设有与所述势垒层（3）直接接触的肖特基金属层（10），所述肖特基金属层（10）顶面设有第二顶层金属层（9）；其特征在于：所述肖特基金属层（10）由间隔交替排布的第一肖特基金属层（10.1）与第二肖特基金属层（10.2）组成，所述源极上的互联金属层（7）向漏极侧延伸并形成横向的梳齿状结构一，所述第一肖特基金属层（10.1）顶面仅与所述梳齿状结构一上的梳齿一（7.1）相连；所述第二顶层金属层（9）上具有纵向的梳齿状结构二，所述第二肖特基金属层（10.2）顶面仅与所述梳齿状结构二上的梳齿二（9.1）相连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京大学 一种梳齿状抗辐照GaN HEMT器件结构及其制作方法

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