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申请/专利权人：瑶芯微电子科技(上海)有限公司
摘要：本发明公开了一种基于复合介质层钝化层的双异质结HEMT器件及其制备方法，包括：提供第一衬底，并在第一衬底的上表面进行离子注入，形成第二衬底；在第二衬底的上表面形成键合中间层，并将β‑Ga2O3转印到键合中间层的上表面，对β‑Ga2O3层进行减薄，形成异质结衬底；在异质结衬底的上表面生长一层β‑Ga2O3，作为缓冲层；在缓冲层上依次生长次势垒层、第一掺杂层、第一异质结层、量子阱层、第二异质结层、第二掺杂层以及主势垒层；在主势垒层的上表面两侧进行离子注入，形成源极欧姆接触区以及漏极欧姆接触区；形成源极、漏极；在主势垒层的上表面生长第一氧化层以及第二氧化层，并在氧化层的上表面生长介质层；在介质层上形成栅极；在介质层的上表面生长钝化层。
主权项：1.一种基于复合介质层钝化层的双异质结HEMT器件的制备方法，其特征在于，包括：提供第一衬底，并在所述第一衬底的上表面进行离子注入，形成第二衬底；在所述第二衬底的上表面形成键合中间层，并将β-Ga2O3转印到所述键合中间层的上表面，对β-Ga2O3层进行减薄，形成异质结衬底；在所述异质结衬底的上表面生长一层β-Ga2O3，作为缓冲层；在所述缓冲层的上表面依次生长次势垒层、第一掺杂层、第一异质结层、量子阱层、第二异质结层、第二掺杂层以及主势垒层；在所述主势垒层的上表面两侧进行离子注入，形成源极欧姆接触区以及漏极欧姆接触区；所述源极欧姆接触区以及所述漏极欧姆接触区延伸至所述缓冲层；在所述源极欧姆接触区上形成源极，在所述漏极欧姆接触区上形成漏极；在所述主势垒层的上表面生长氧化层，所述氧化层包括第一氧化层以及第二氧化层，所述第一氧化层靠近所述源极，所述第二氧化层靠近所述漏极，并在所述氧化层的上表面生长介质层；在所述介质层上形成栅极，并用与所述介质层材料相同的材料覆盖所述栅极；在所述介质层的上表面生长钝化层，并刻蚀所述介质层以及所述钝化层的两侧，以露出所述源极以及所述栅极的至少一部分上表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 瑶芯微电子科技(上海)有限公司 基于复合介质层/钝化层的双异质结HEMT器件及其制备方法
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