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申请/专利权人：湖北九峰山实验室
摘要：本申请公开了一种HEMT器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，制备方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成T型栅极，T型栅极包括：栅足和栅帽；其中，半导体衬底的表面覆盖有支撑层，支撑层具有露出半导体衬底的第一开口；栅足的一端基于第一开口固定在半导体衬底的表面上，栅足的另一端上方设置有栅帽；栅足的高度大于支撑层的厚度，以使得栅帽与支撑层之间具有预设距离。本申请技术方案中，由于支撑层与栅帽之间具有预设距离，可以在通过支撑层固定支撑栅足的同时，还可以减少对栅极寄生电容的影响，在使得T型栅极具有较好机械稳定性，同时还可以使得其具有较小的寄生电容。
主权项：1.一种HEMT器件的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成T型栅极，所述T型栅极包括：栅足和栅帽；其中，所述半导体衬底的表面覆盖有支撑层，所述支撑层具有露出所述半导体衬底的第一开口；所述栅足的一端基于所述第一开口固定在所述半导体衬底的表面上，所述栅足的另一端上方设置有所述栅帽；所述栅足的高度大于所述支撑层的厚度，以使得所述栅帽与所述支撑层之间具有预设距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北九峰山实验室 一种HEMT器件及其制备方法
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