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申请/专利权人：三菱电机株式会社
申请日：2021-11-30
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118266139A
主分类号：H01S5/227
分类号：H01S5/227;H01S5/12
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：半导体激光器100具备形成于n型半导体基板1的脊构造16、和以覆盖脊构造16的在与延伸方向垂直的方向上相互对置的两侧的方式埋入的埋入层13。脊构造16具有从n型半导体基板1侧依次形成的n型包层4、活性层5和p型包层6。埋入层13具有与脊构造16的p型包层6及活性层5的两侧面相接的p型半导体层7b和半绝缘层8，p型半导体层7b不与脊构造16的n型包层4相接。
主权项：1.一种半导体激光器，具备形成于n型半导体基板的脊构造、和以覆盖所述脊构造的在与延伸方向垂直的方向上相互对置的两侧的方式埋入的埋入层，其中，所述脊构造具有从所述n型半导体基板侧依次形成的n型包层、活性层和p型包层，所述埋入层具有与所述脊构造的所述p型包层及所述活性层的两侧面相接的p型半导体层、和半绝缘层，所述p型半导体层不与所述脊构造的所述n型包层相接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三菱电机株式会社 半导体激光器以及半导体激光器制造方法
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