龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：吉光半导体科技有限公司
摘要：本实用新型涉及半导体激光器技术领域，尤其涉及光子‑光子共振面发射激光器，包括N型衬底，在N型衬底上依次制备有N型高掺杂层、N型DBR层、有源层、电流限制层和P型DBR层，P型DBR层包括一个主腔P型DBR层和至少一个副腔P型DBR层，主腔P型DBR层、有源层与N型DBR层构成主谐振腔，副腔P型DBR层、有源层与N型DBR层构成副谐振腔，在主谐振腔的表面刻蚀有用于控制偏振方向的光栅，主谐振腔与副谐振腔的形状和或尺寸不同。本实用新型能够通过调节台面的形状和尺寸，调节器件的偏振态。通过调节光栅结构的占空比，实现模式选择，最终实现单模偏振的低噪声高速光子‑光子共振面发射激光器。
主权项：1.一种光子-光子共振面发射激光器，包括N型衬底，在所述N型衬底上依次制备有N型高掺杂层、N型DBR层、有源层和P型DBR层，在所述P型DBR层与所述有源层之间和或所述N型DBR层与所述有源层之间制备有电流限制层，所述P型DBR层包括一个主腔P型DBR层和至少一个副腔P型DBR层，所述主腔P型DBR层、所述有源层与所述N型DBR层构成主谐振腔，所述副腔P型DBR层、所述有源层与所述N型DBR层构成副谐振腔，在所述主腔P型DBR层上制备有主腔P型电极，在所述副腔P型DBR层上制备有副腔P型电极，在所述N型高掺杂层上制备有N型电极，其特征在于，在所述主腔P型DBR层上刻蚀有表面光栅，所述主谐振腔与所述副谐振腔的形状和或尺寸不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 吉光半导体科技有限公司 光子-光子共振面发射激光器
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号