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申请/专利权人：住友电气工业株式会社
申请日：2019-08-23
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN110858701B
主分类号：H01S5/34
分类号：H01S5/34;H01S5/40
优先权：["20180824 JP 2018-157675"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.04.30#实质审查的生效;2020.03.03#公开
摘要：本发明涉及一种量子级联半导体激光器，包括：激光器结构，其具有第一区域、第二区域和第三区域，该第一区域包括端面；金属层，其在第三区域中被设置于主表面上；分离区域，其被设置在主表面上；和反射器，其被设置在激光器结构上。反射器包括设置在端面和分离区域上的介电膜和金属反射膜。分离区域具有第一部分、第二部分和第三部分。金属层具有在第三区域中与端面分离的边缘。接触层具有在第三区域中与端面分离的边缘。第一部分在半导体台面上比第二部分在半导体台面上方突出的更多。第三部分在半导体台面上比第二部分在半导体台面上方突出的更多。
主权项：1.一种量子级联半导体激光器，包括：激光器结构，所述激光器结构具有第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域包括端面；金属层，所述金属层被设置在所述激光器结构的所述第三区域的主表面上方；分离区域，所述分离区域被设置在所述激光器结构的主表面上方；和反射器，所述反射器被设置在所述激光器结构上，其中，所述反射器包括设置在所述端面和所述分离区域上的介电膜和金属反射膜，所述激光器结构的所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域在第一轴线的方向上顺序安置，所述分离区域具有第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分被设置在所述第一区域的主表面上方，所述第二部分被设置在所述第二区域的主表面上方，所述第三部分被设置在所述第三区域的主表面上方，所述金属层具有在所述第三区域中与所述端面分离的边缘，所述激光器结构包括半导体台面、嵌入区域和衬底，所述半导体台面包括接触层和芯层，所述半导体台面被嵌入到所述嵌入区域中，所述衬底上安装有所述嵌入区域和所述半导体台面，所述接触层具有在所述第三区域中与所述端面分离的边缘，所述分离区域的所述第一部分在所述半导体台面上比所述分离区域的所述第二部分突出的更多，所述分离区域的所述第三部分在所述半导体台面上比所述分离区域的所述第二部分突出的更多，并且所述反射器的所述金属反射膜被所述分离区域的所述第一部分终止。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 住友电气工业株式会社 量子级联半导体激光器
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