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申请/专利权人：细美事有限公司
申请日：2023-12-15
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263111A
主分类号：H01L21/311
分类号：H01L21/311;H01L21/318;H01L21/768
优先权：["20221227 KR 10-2022-0186480"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明公开了一种形成包括氮化硅的图案结构的方法。根据本公开的实施例，形成图案结构的所述方法包括：将具有一个表面的基底提供到基底处理设备中的步骤，在所述一个表面上形成有图案结构，所述图案结构包括凹槽区域，在所述凹槽区域中开口周边部分和底部部分由第一氮化硅制成；在所述第一氮化硅上沉积第二氮化硅的沉积步骤；蚀刻所述第二氮化硅的蚀刻步骤；以及在一个循环中执行上述步骤n次直到去除构成所述底部部分的所述第一氮化硅的步骤。
主权项：1.一种形成包括氮化硅的图案结构的方法，所述方法包括：将具有一个表面的基底提供到基底处理设备中的步骤，在所述一个表面上形成有图案结构，所述图案结构包括凹槽区域，在所述凹槽区域中开口周边部分和底部部分由第一氮化硅制成；步骤a1在所述第一氮化硅上沉积第二氮化硅的沉积步骤，使得所述底部部分上的沉积厚度比所述开口周边部分上的沉积厚度具有小的值；步骤b1以步骤a1中沉积的所述厚度蚀刻所述开口周边部分上的所述第二氮化硅，蚀刻并去除步骤a1中沉积在所述底部部分上的所述第二氮化硅，并且蚀刻提供在所述第二氮化硅下方的所述第一氮化硅的蚀刻步骤；以及在一个循环中执行步骤a1和步骤b1n次n是等于或大于1的自然数直到去除构成所述底部部分的所述第一氮化硅的步骤。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 细美事有限公司 形成包括氮化硅的图案结构的方法
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