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申请/专利权人：电子科技大学
申请日：2024-03-27
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118258527A
主分类号：G01L1/18
分类号：G01L1/18;B82Y30/00;G01B7/16
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：一种基于纳米多晶硅薄膜的应变计，属于微波介质器件技术领域。包括衬底、纳米多晶硅薄膜方块电阻、金属导体接线层和保护层；纳米多晶硅薄膜方块电阻位于衬底之上，形成惠斯通电桥结构；金属导体接线层位于衬底之上，实现纳米多晶硅薄膜方块电阻与应变计的电极之间的连接；保护层位于金属导体接线层之上。本发明提供的一种基于纳米多晶硅薄膜的应变计，先采用PECVD沉积非晶硅薄膜，再通过管式炉退火形成多晶硅薄膜，有效降低了温度对应变计的影响；通过退火控制其晶粒尺寸30nm，改变了应变系数，进而增大了温度稳定性，得到的应变计的温度适用范围为20～150℃。
主权项：1.一种基于纳米多晶硅薄膜的应变计，其特征在于，包括衬底、纳米多晶硅薄膜方块电阻、金属导体接线层和保护层；纳米多晶硅薄膜方块电阻位于衬底之上，形成惠斯通电桥结构；金属导体接线层位于衬底之上，实现纳米多晶硅薄膜方块电阻与应变计的电极之间的连接；保护层位于金属导体接线层之上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 基于纳米多晶硅薄膜的应变计
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