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申请/专利权人：英诺赛科(珠海)科技有限公司
申请日：2022-08-03
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118266084A
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L29/778
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：氮化物基半导体器件包括第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层、源电极和漏电极、掺杂氮化物基半导体层、第一栅电极和第二栅电极以及第三栅电极。源电极和漏电极设置在第二氮化物基半导体层上方。掺杂氮化物基半导体层设置在第二氮化物基半导体上方并且在源电极与漏电极之间。第一栅电极和第二栅电极设置在掺杂氮化物基半导体层上并且彼此间隔开。第三栅电极设置在第一栅电极和第二栅电极上方并与掺杂氮化物基半导体层的在第一栅电极与第二栅电极之间的部分接触。
主权项：1.一种氮化物基半导体器件，其包括：第一氮化物基半导体层；第二氮化物基半导体层，所述第二氮化物基半导体层设置在所述第一氮化物基半导层上，并且所述第二氮化物基半导体层的带隙大于所述第一氮化物基半导体层的带隙；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极设置在所述第二氮化物基半导体层上方；掺杂氮化物基半导体层，所述掺杂氮化物基半导体层设置在所述第二氮化物基半导层上方并且在所述源电极与所述漏电极之间；第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极和所述第二栅电极设置在所述掺杂氮化物基半导体层上并且彼此间隔开；以及第三栅电极，所述第三栅电极设置在所述第一栅电极和所述第二栅电极上方，并与所述掺杂氮化物基半导体层的在所述第一栅电极与所述第二栅电极之间的部分接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英诺赛科(珠海)科技有限公司 氮化物基半导体器件及其制造方法
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