龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种集成有双向近结液冷结构的氮化镓晶体管，包括第一衬底层、外延结构、源电极、漏电极、第一介质层、栅电极、第一嵌入式微流结构、衬底盖板、多个背通孔、第二介质层、第二衬底层和第二嵌入式微流结构，其中，外延结构包括自下而上设置的成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，源电极和漏电极设置在势垒层上表面两侧；第一介质层设置在势垒层上，栅电极设置在介质层上并延伸至势垒层上表面；第一嵌入式微流结构开设在第一衬底层下表面；第二介质层设置在第一介质层上，第二衬底层第二衬底层键合在第二介质层上并开设有多个第二嵌入式微流结构。本发明同时在器件顶部和底部引入近结液冷散热结构，最大程度上实现了近结液冷散热结构的散热潜力。
主权项：1.一种集成有双向近结液冷结构的氮化镓晶体管，其特征在于，包括第一衬底层1、外延结构、源电极6、漏电极7、第一介质层8、栅电极9、第一嵌入式微流结构10、衬底盖板11、多个背通孔12、第二介质层13、第二衬底层15和第二嵌入式微流结构16，其中，所述外延结构包括在所述第一衬底层1上表面自下而上设置的成核层2、缓冲层3、沟道层4和势垒层5，所述源电极6和所述漏电极7设置在所述势垒层5上表面两侧并下沉至所述沟道层4，所述源电极6和所述漏电极7分别与所述势垒层5和所述沟道层4之间的异质结沟道形成欧姆接触；所述第一介质层8设置在所述源电极6与所述漏电极7之间的势垒层5上，所述栅电极9设置在所述介质层8上并且所述栅电极9的至少一部分穿过所述介质层8延伸至所述势垒层5上表面；所述第一嵌入式微流结构10开设在所述第一衬底层1下表面，所述衬底盖板11密封连接在所述第一衬底层1的下表面；所述背通孔12从所述衬底盖板11的下表面贯穿至所述源电极6、所述漏电极7和所述栅电极9的下表面，并且所述背通孔12内填充金属；所述第二介质层13设置在所述第一介质层8的上表面并覆盖所述源电极6、所述漏电极7和所述栅电极9，所述第二衬底层15键合在所述第二介质层13的上表面，并且所述第二嵌入式微流结构16开设在所述第二衬底层15的下表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 集成有双向近结液冷结构的氮化镓晶体管及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号