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申请/专利权人：华为技术有限公司
申请日：2022-12-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263072A
主分类号：H01J21/20
分类号：H01J21/20;H01J19/74
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请提供一种真空三极管、电子器件及电子设备，提供一种采用表面隧穿电子源即发射体的片上微型真空三极管。该真空三极管包括衬底以及设置在衬底上的第一驱动电极、第二驱动电极、第一绝缘层、栅极。第一驱动电极与第二驱动电极分布在衬底上、且第一驱动电极与第二驱动电极之间具有第一间隙；第一绝缘层在位于第一间隙的所在区域、且在靠近收集电极的表面具有表面隧穿电子源，表面隧穿电子源与第一驱动电极、第二驱动电极均电连接；栅极位于第一绝缘层远离收集电极的一侧。该真空三极管还包括收集电极，收集电极设置在第一绝缘层远离衬底的一侧，收集电极与表面隧穿电子源相对设置，且收集电极与表面隧穿电子源之间具有第二间隙。
主权项：1.一种真空三极管，其特征在于，包括：衬底；第一驱动电极和第二驱动电极，所述第一驱动电极与所述第二驱动电极分布在所述衬底上，且所述第一驱动电极与所述第二驱动电极之间具有第一间隙；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述衬底上，所述第一绝缘层在位于所述第一间隙的所在区域、且靠近所述收集电极的表面具有表面隧穿电子源；所述表面隧穿电子源与所述第一驱动电极、所述第二驱动电极均电连接；栅极，所述栅极位于所述第一绝缘层远离所述表面隧穿电子源的一侧；收集电极，所述收集电极设置在所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧；所述收集电极与所述表面隧穿电子源相对设置，且所述收集电极与所述表面隧穿电子源之间具有第二间隙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 真空三极管、电子器件及电子设备
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