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申请/专利权人：意法半导体(克洛尔2)公司;意法半导体(鲁塞)公司
摘要：本公开的一个或多个实施例涉及晶体管、电子器件及射频开关。晶体管包括：半导体层；堆叠，所述堆叠在所述半导体上，所述堆叠包括栅极绝缘体以及在所述栅极绝缘体上的栅极区域；其中所述栅极区域包括第一部分和第二部分，所述第二部分在所述第一部分与所述栅极绝缘体之间；所述栅极区域的所述第一部分在所述晶体管的第一横向方向上具有第一长度；并且其中所述栅极区域的所述第二部分在所述第一横向方向上具有比所述第一长度短的第二长度。
主权项：1.一种晶体管，其特征在于，包括：半导体层；堆叠，所述堆叠在所述半导体上，所述堆叠包括栅极绝缘体以及在所述栅极绝缘体上的栅极区域；其中所述栅极区域包括第一部分和第二部分，所述第二部分在所述第一部分与所述栅极绝缘体之间；所述栅极区域的所述第一部分在所述晶体管的第一横向方向上具有第一长度；并且其中所述栅极区域的所述第二部分在所述第一横向方向上具有比所述第一长度短的第二长度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体(克洛尔2)公司 意法半导体(鲁塞)公司 晶体管、电子器件及射频开关
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