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申请/专利权人：华为技术有限公司
申请日：2022-12-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263071A
主分类号：H01J21/20
分类号：H01J21/20;H01J19/74;H01J9/18
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本申请提供一种真空三极管及其制作方法、电子器件及电子设备，涉及三极管技术领域，提供了一种采用表面隧穿电子源即发射体的片上微型真空三极管。该真空三极管包括衬底以及设置在衬底上的第一绝缘层、第二绝缘层、驱动电极、栅极、收集电极。其中，第一绝缘层和第二绝缘层分布在衬底的表面，且第一绝缘层和第二绝缘层之间形成有真空沟道区。驱动电极设置于第一绝缘层表面、且靠近真空沟道区一侧的边缘区域。栅极和收集电极设置在第二绝缘层的表面。第一绝缘层在靠近真空沟道区的侧面具有表面隧穿电子源；表面隧穿电子源与驱动电极和衬底均电连接，且表面隧穿电子源与收集电极相对设置。
主权项：1.一种真空三极管，其特征在于，包括：衬底：第一绝缘层、第二绝缘层；其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层分布在所述衬底的表面，且所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间形成有真空沟道区；驱动电极；所述驱动电极设置于所述第一绝缘层表面；栅极、收集电极；所述栅极和所述收集电极设置在所述第二绝缘层的表面；其中，所述第一绝缘层在靠近所述真空沟道区的侧面具有表面隧穿电子源；所述表面隧穿电子源与所述驱动电极和所述衬底均电连接，且所述表面隧穿电子源与所述收集电极相对设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 真空三极管及其制作方法、电子器件及电子设备
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