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发光二极管元件 

申请/专利权人:国立大学法人京都大学;斯坦雷电气株式会社

申请日:2022-11-01

公开(公告)日:2024-06-28

公开(公告)号:CN118266092A

主分类号:H01L33/16

分类号:H01L33/16;H01L33/22

优先权:["20211124 JP 2021-189929"]

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.28#公开

摘要:本发明具有:基板11,其在表面具有周期性形成有锥形突起的蛾眼型纳米结构11M;第一半导体层21,其形成在蛾眼型纳米结构11M上,具有光子晶体层21P;有源层23,其形成在第一半导体层21上,具有发光层23A;以及第二半导体层25,其形成在有源层23上。

主权项:1.一种发光二极管元件,其具有:基板,其在表面具有周期性形成有锥形突起的蛾眼型纳米结构;第一半导体层,其形成在所述蛾眼型纳米结构上,且具有光子晶体层;有源层,其形成在所述第一半导体层上,且具有发光层;以及第二半导体层,其形成在所述有源层上。

全文数据:

权利要求:

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