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申请/专利权人：杭州爱杰光电科技有限公司
申请日：2024-04-01
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118261000A
主分类号：G06F30/23
分类号：G06F30/23;G16C60/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及集成光电子技术领域，提供一种集成光电子器件逆向设计方法及装置，该方法包括：S1：在NL×NW的设计区域内以材料单元格为最小填充范围，采用可重叠填充方式随机生成至少一个填充矩阵；S2：将所述填充矩阵转换成对应的材料矩阵，以材料矩阵中填充1的定位单元格对应填充材料，填充0的定位单元格对应背景材料，形成集成光电子器件；S3：计算集成光电子器件的目标性能值，采用迭代算法基于目标性能值进行最优解迭代，在目标性能值收敛时，输出迭代后的至少一个填充矩阵作为最优解，否则，按预设策略变换每个填充矩阵后，跳转执行S2。本发明采用了重叠填充材料单元格方式，具有更多样的形状组合，可以优化得到更佳性能的器件结构。
主权项：1.一种集成光电子器件逆向设计方法，其特征在于，包括步骤：S1：在NL×NW的设计区域内以材料单元格为最小填充范围，采用可重叠填充方式随机生成至少一个填充矩阵，其中，所述设计区域由多个边长为a的定位单元格呈矩阵排列组成，以形成nL×nW的材料矩阵，表示向下取整，所述材料单元格大小为k×a，k为正整数，所述填充矩阵由填充的最小填充范围的首行首列定位单元格为1，其余定位单元格均为0形成，大小为mL×mW，mL＝nL-k-1，mW＝nW-k-1；S2：将所述填充矩阵转换成对应的材料矩阵，以材料矩阵中填充1的定位单元格对应填充材料，填充0的定位单元格对应背景材料，形成集成光电子器件；S3：计算所述集成光电子器件的目标性能值，采用迭代算法基于目标性能值进行最优解迭代，在所述目标性能值收敛的情况下，输出迭代后的至少一个填充矩阵作为最优解，否则，按预设策略变换每个填充矩阵后，跳转执行步骤S2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州爱杰光电科技有限公司 集成光电子器件逆向设计方法及装置
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