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申请/专利权人：西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学
申请日：2024-02-26
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263223A
主分类号：H01L23/528
分类号：H01L23/528;H01L21/60
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及一种功率放大器和低噪声放大器三维集成电路及制备方法，集成电路包括：Ⅲ族氮化物体系、Ⅲ族砷化物体系、第一通孔、第一电极结构、第二通孔、第二电极结构、键合层和若干金属凸块，其中，第一电极结构位于Ⅲ族氮化物体系的一端，通过第一通孔连接控制电路；第二电极结构位于Ⅲ族砷化物体系的一端，通过第二通孔连接控制电路；键合层设置在Ⅲ族氮化物体系和Ⅲ族砷化物体系之间。本发明通过将Ⅲ族氮化物体系和Ⅲ族砷化物体系通过键合层键合在一起，同时实现功率放大器和低噪声放大器，减小了芯片的面积和封装模块之间的连线，从而减小了连线带来的寄生电感，进而减小了射频功率的损耗和延迟，提高了电路的高频性能。
主权项：1.一种功率放大器和低噪声放大器三维集成电路，其特征在于，包括：Ⅲ族氮化物体系1、Ⅲ族砷化物体系2、第一通孔17、第一电极结构、第二通孔27、第二电极结构、键合层51和若干金属凸块52，其中，所述第一通孔17由所述Ⅲ族氮化物体系1的一端贯穿至所述Ⅲ族氮化物体系1的另一端；所述第一电极结构位于所述Ⅲ族氮化物体系1的一端，通过所述第一通孔17连接控制电路；所述第二通孔27由所述Ⅲ族砷化物体系2的一端贯穿至所述Ⅲ族砷化物体系2的另一端；所述第二电极结构位于所述Ⅲ族砷化物体系2的一端，通过所述第二通孔27连接所述控制电路；所述键合层51设置在所述Ⅲ族氮化物体系1和所述Ⅲ族砷化物体系2之间，覆盖所述第一电极结构和所述第二电极结构；所述若干金属凸块52位于所述键合层51内部，连接所述第一电极结构和所述第二电极结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学广州研究院;西安电子科技大学 一种功率放大器和低噪声放大器三维集成电路及制备方法
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