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申请/专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日：2020-12-01
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN112510030B
主分类号：H01L25/16
分类号：H01L25/16;H10B80/00;H01L23/60;H01L21/60
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.04.02#实质审查的生效;2021.03.16#公开
摘要：本发明公开了一种芯片、三维芯片、电子设备及三维芯片的制造方法，其中，所述芯片用作三维芯片的子芯片，所述芯片包括：内部接口和内部电路，内部电路用于实现所述芯片的收发功能，内部接口用于连接三维芯片中的其他子芯片，其中，内部电路通过静电释放电路连接到所述内部接口，静电释放电路用于将从所述内部接口灌入的静电荷进行释放。本申请针对构成三维芯片的内部的子芯片，在其内部电路和内部接口之间接入静电释放电路，该静电释放电路使得子芯片在组装的过程中发生ESDElectro‑Staticdischarge，静电释放事件时，能够将从内部接口灌入的静电荷进行释放，从而能够避免子芯片被损坏，解决了现有技术中的三维芯片的可靠性较差的技术问题。
主权项：1.一种芯片，其特征在于，所述芯片用作三维芯片的子芯片，所述芯片包括：内部接口和内部电路，所述内部电路用于实现所述芯片的收发功能，所述内部接口用于连接所述三维芯片中的其他子芯片，其中，所述内部电路通过静电释放电路连接到所述内部接口，所述静电释放电路用于将从所述内部接口灌入的静电荷进行释放，其中，所述内部电路的数量为一个或多个，每个所述内部电路各自对应有一个所述内部接口及一个所述静电释放电路，所述内部接口通过混合键合的方式连接所述其他子芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安紫光国芯半导体有限公司 芯片、三维芯片、电子设备及三维芯片的制造方法
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