申请/专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司

申请日：2023-07-18

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN116598312B

主分类号：H01L27/06

分类号：H01L27/06;H01L23/532;H01L21/768;H01L23/48;H10B12/00;H10B10/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.28#授权;2023.09.01#实质审查的生效;2023.08.15#公开

摘要：本申请实施例提供了一种三维集成电路，包括：下方器件层；所述下方器件层包括下方器件层本体和退火阻挡层，所述退火阻挡层位于所述下方器件层本体内的上部，且所述退火阻挡层避开竖向通孔以不与竖向通孔连接；形成在下方器件层上方的上方器件层；其中，所述下方器件层的退火阻挡层用于阻挡上方器件层制备过程中退火工艺的光对所述下方器件层退火阻挡层之下的结构进行加热。本申请实施例解决了传统的3D封装芯片不能适应芯片的发展方向的技术问题。

主权项：1.一种三维集成电路，其特征在于，包括：下方器件层；所述下方器件层包括下方器件层本体和退火阻挡层，所述退火阻挡层位于所述下方器件层本体内的上部，且所述退火阻挡层避开竖向通孔以不与竖向通孔连接；形成在下方器件层上方的上方器件层；其中，所述下方器件层的退火阻挡层用于阻挡上方器件层制备过程中退火工艺的光对所述下方器件层退火阻挡层之下的结构进行加热；所述退火阻挡层为不透光的金属材料的退火阻挡层；所述下方器件层本体包括自下而上设置的下方半导体层、下方功能器件层、下方绝缘层；其中，所述下方绝缘层中具有与下方功能器件层的功能器件连接的电连接结构；所述下方器件层的退火阻挡层位于所述下方绝缘层中且位于所述下方绝缘层的电连接结构之上高度；所述下方器件层为底部器件层；所述底部器件层包括自下而上设置的底部衬底、底部功能器件层、底部绝缘层；其中，所述底部绝缘层中具有与底部功能器件层的功能器件连接的电连接结构；所述底部绝缘层包括自下而上设置的氧化物绝缘层和低介电常数绝缘层；所述底部绝缘层的电连接结构包括：设置在氧化物绝缘层内且位于第一功能器件层的功能器件之上的钨通孔，其中，所述竖向通孔包括钨通孔；设置在氧化物绝缘层内连接在所述钨通孔之上的金属互连线；设置在低介电常数绝缘层内的金属互连线，且低介电常数绝缘层中的金属互连线与氧化物绝缘层中的金属互连线连接；其中，所述底部绝缘层的低介电常数绝缘层内的金属互连线在横向方向完全被低介电常数绝缘层包裹，所述底部绝缘层的氧化物绝缘层内的金属互连线在横向方向完全被氧化物绝缘层包裹。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州华太电子技术股份有限公司 一种三维集成电路

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