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申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司
申请日：2024-05-28
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263328A
主分类号：H01L29/78
分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：初始衬底、第一阱区、体区、漂移区、源极、漏极、栅极，横向双扩散场效应晶体管还包括：氧化介质区，形成于漂移区内，并被栅极延伸出的多晶硅覆盖，氧化介质区与覆盖在氧化介质区上面的多晶硅共同作为场板；其中，氧化介质区通过浅槽隔离工艺制成；氧化隔离区，氧化隔离区为条状构型，形成于体区与所述漂移区的交界处，自体区与漂移区交界处的中间区域向下延伸至所述第一阱区。通过本发明提供的晶体管，能够避免器件内部发生击穿，提高横向双扩散场效应晶体管的击穿电压，增强晶体管在高电压应用中的可靠性。
主权项：1.一种横向双扩散场效应晶体管，包括：初始衬底、第一阱区、体区、漂移区、源极、漏极、栅极，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：氧化介质区，形成于所述漂移区内，并被栅极延伸出的多晶硅覆盖，氧化介质区与覆盖在氧化介质区上面的多晶硅共同作为场板；其中，所述氧化介质区通过浅槽隔离工艺制成；氧化隔离区，所述氧化隔离区为条状构型，形成于所述体区与所述漂移区的交界处，自所述体区与所述漂移区交界处的中间区域向下延伸至所述第一阱区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京智芯微电子科技有限公司 横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路
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