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申请/专利权人：三星电子株式会社;汉阳大学校产学协力团
摘要：提供场效应晶体管和集成电路装置，场效应晶体管包括：在衬底上的绝缘阻挡层；在绝缘阻挡层上延伸的栅电极；覆盖栅电极的相对侧表面和顶表面的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上并包括选自铟In和锌Zn中的至少一种金属元素的氧化物半导体层；以及彼此分离的源极结构和漏极结构，源极结构和漏极结构电连接至氧化物半导体层。源极结构和漏极结构中的每一个包括氧化物半导体层上的铟镓锡氧化物IGTO膜、IGTO膜上的导电金属氮化物膜、导电金属氮化物膜上的源电极和漏电极中的一个、以及源电极和漏电极中的一个的顶表面上的顶部封盖层。
主权项：1.一种场效应晶体管，包括：绝缘阻挡层，其在衬底上；栅电极，其在所述绝缘阻挡层上沿一个方向延伸；栅极绝缘层，其覆盖所述栅电极的相对侧表面和顶表面；氧化物半导体层，其在所述栅极绝缘层上，并且包括从铟和锌中选择的至少一种金属元素；以及彼此分离的源极结构和漏极结构，所述源极结构和所述漏极结构被配置为电连接至所述氧化物半导体层，其中，所述源极结构和所述漏极结构中的每一个包括：铟镓锡氧化物膜，其在所述氧化物半导体层上，导电金属氮化物膜，其在所述铟镓锡氧化物膜上，在所述导电金属氮化物膜上的源电极和漏电极中的一个，以及顶部封盖层，其在所述源电极和所述漏电极中的所述一个的顶表面上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 汉阳大学校产学协力团 场效应晶体管和包括该场效应晶体管的集成电路装置
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