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申请/专利权人：上海道之科技有限公司
摘要：本发明公开了一种高雪崩耐量的屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法，屏蔽栅MOSFET器件分为终端区和原胞区，且终端区和原胞区均主要包括依次设置的衬底层和外延层，外延层上设置有沟槽；其制造方法包括如下步骤：在选定的外延硅衬底上进行沟槽刻蚀；生长牺牲氧化层；利用一块掩膜版去掉原胞区的牺牲氧化层，保留终端沟槽中的氧化层；通过热氧化或热氧化加沉积氧化层方式制备场氧化层；屏蔽栅多晶硅填充；栅氧化层生长；栅多晶硅填充；体区注入及退火；光刻源区并进行源区注入；光刻接触孔，刻蚀绝缘层，溅射顶层金属，光刻刻蚀顶层金属，淀积钝化层，光刻刻蚀钝化层，完成顶层结构的制作；最后进行圆片减薄以及背面金属淀积。
主权项：1.一种高雪崩耐量的屏蔽栅MOSFET器件，包括MOSFET器件本体，其特征在于：所述MOSFET器件本体分为终端区和原胞区，且所述终端区和原胞区均主要包括依次设置的衬底层和外延层，该外延层上设置有向内凹陷的沟槽；所述终端区的沟槽内设置有屏蔽栅多晶硅及布置在屏蔽栅多晶硅和沟槽之间的终端厚场氧化层，终端区的上表面由内到外依次设置有牺牲氧化层、场氧化层、栅氧化层及介质层；所述原胞区的沟槽内设置有屏蔽栅多晶硅及布置在屏蔽栅多晶硅和沟槽之间的场氧化层，原胞区的上表面刻蚀有与原胞区内的沟槽连通的刻蚀槽，该刻蚀槽内布置有栅多晶硅和栅氧化层，且相邻两刻蚀槽之间设置有上下依次布置的源区和体区；所述栅多晶硅和栅氧化层的上表面设置有介质层，该介质层内设置有若干接触孔；所述终端区内的终端厚场氧化层包括由内到外依次设置的牺牲氧化层和场氧化层，终端区内介质层的厚度大于牺牲氧化层、场氧化层和栅氧化层的厚度之和；所述原胞区内的刻蚀槽深度为0~1um。
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权利要求：
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