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申请/专利权人:天狼芯半导体(成都)有限公司
摘要:本发明公开了一种具有深STI的LDMOS及制备方法,该LDMOS包括STI;所述STI沿第一方向的长度大于第一阈值;所述STI的截面的形状包括:梯形;所述STI的填充材料包括:二氧化硅。本发明在传统LDMOS结构上进行改进,通过增加漏极与源极间STI的深度使得栅极和导电通道的局部电场降低,提高了LDMOS器件的击穿电压;通过增加STI的深度而并非增加STI的长度可以在提高LDMOS击穿电压的同时,保持LDMOS器件的尺寸,降低了制造成本。
主权项:1.一种具有深STI的LDMOS,其特征在于,包括STI;所述STI沿第一方向的长度大于第一阈值;所述STI的截面的形状包括:梯形;所述STI的填充材料包括:二氧化硅。
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权利要求:
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