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申请/专利权人：北京晶亦精微科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种改善STI工艺凹陷区域POLY残留的方法及STI结构形成方法，所述改善STI工艺凹陷区域POLY残留的方法包括步骤：在进行STICMP平坦化后，并在去除氮化膜前，采用湿法刻蚀技术将沟槽氧化膜上表面去除至目标厚度，减少沟槽Trench区域氧化膜与垫氧化膜的台阶差。本发明在湿法刻蚀沟槽氧化膜时，由氮化膜侧壁进行保护，使湿法刻蚀不会对沟槽氧化膜侧壁产生等向性钻蚀，进而能改善divot区域过大，引起刻蚀后多晶残留问题，改善在干法多晶栅刻蚀的残留问题和漏电问题，提高了器件性能。
主权项：1.改善STI工艺凹陷区域POLY残留的方法，其特征在于，包括步骤：在进行STICMP平坦化后，并在去除氮化膜前，采用湿法刻蚀技术将沟槽氧化膜上表面去除至目标厚度，减少沟槽Trench区域氧化膜与垫氧化膜的台阶差，以利用氮化膜作为侧壁阻挡层，使湿法刻蚀沟槽氧化膜时不会对沟槽氧化膜侧壁产生等向性钻蚀。
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